一种用于金属有机物化学气相沉积的真空处理系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种用于金属有机物化学气相沉积的真空处理系统，包括：具有若干个密封门的传输室，其内部设置有第一传输装置；与所述若干个密封门中的至少一个相连接的真空锁，其用于连接所述传输室和外界大气环境；与所述若干个密封门中的至少一个相连接的反应室，所述多片基片在所述反应室中进行金属有机物化学气相沉积处理；反应室辅助系统，其与所述反应室在空间分布上呈堆栈式排列；以及所述真空锁和所述反应室连接于传输室的周围。本实用新型专利技术还能够有效地节省洁净室的空间，并且能够实现基片在机台中的自动化传输，节约了人力物力成本。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及真空处理系统，尤其涉及一种用于金属有机化合物化学气相沉积 的真空处理系统。
技术介绍
MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型 气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为 晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI族 化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都 是在常压或低压(lO-lOOTorr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为 500-1200°C，用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的 液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。MOCVD技术具有下列优点(1)适用范围广泛，几乎 可以生长所有化合物及合金半导体；( 非常适合于生长各种异质结构材料；C3)可以生长 超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡；(4)生长易于控制；( 可以生长纯度很高的材料； (6)本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于金属有机物化学气相沉积的真空处理系统，其特征在于，所述真空处理系统包括：具有若干个密封门的传输室，其内部设置有第一传输装置，至少一个放置有多片基片的载片盘可以通过所述第一传输装置经过所述密封门被传输；与所述若干个密封门中的至少一个相连接的真空锁，其用于连接所述传输室和外界大气环境，以在不损失所述传输室内的真空的前提下在外界大气环境和所述传输室之间对所述载片盘进行传输；与所述若干个密封门中的至少一个相连接的反应室，所述多片基片在所述反应室中进行金属有机物化学气相沉积处理；反应室辅助系统，其与所述反应室在空间分布上呈堆栈式排列；以及所述真空锁和所述反应室连接于传输室的周围。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹志尧，陶珩，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31