本发明专利技术提供一种用于制作多晶硅绒面的腐蚀液，包括以下浓度的成分：2摩尔/升～5摩尔/升的HF、5摩尔/升～15摩尔/升的HNO3、0.2摩尔/升～1摩尔/升的亚硝酸盐、0.1摩尔/升～0.5摩尔/升的H2SiF6和余量水。本发明专利技术在HF和HNO3中添加NaNO2和H2SiF6作为稳定剂，实验结果表明，与现有技术相比，使用本发明专利技术提供的腐蚀液制备的多晶硅绒面结构可以有效地降低对太阳光的反射率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于制备太阳能电池的多晶硅
，具体涉及一种制作多晶硅绒面的方法以及腐蚀液。
技术介绍
太阳能光伏电池，简称为光伏电池，用于把太阳的光能直接转化为电能。与常规能源相比，光伏电池是一种可再生清洁能源，有利于环境保护，并且可以节省造价很贵的输电线路，因此光伏电池具有广阔的应用前景。单晶硅片或多晶硅片是制备光伏电池的主要部件，当太阳光照射在单晶硅片或多晶硅片上时，光能可以转变为电能。太阳光照射在硅片表面一般有40%以上的反射光，为了提高光电转换效率，需要增加硅片对太阳光的吸收效果，使反射率降至最小。目前，为了降低太阳光在硅片表面的反射率，需要对硅片进行表面处理以在硅片表面形成细小而均勻的绒面结构，绒面结构可以吸收更多的太阳光，降低光的反射率，从而提高短路电流，最终达到提高光电转换效率的效^ ο目前，单晶硅片绒面制备技术开发较早，已经比较成熟。目前常用的技术是利用化学腐蚀技术制备单晶硅绒面，该技术是利用晶体硅的晶相在特定腐蚀液中被腐蚀速录有所不同的特性在单据硅片上制备出金字塔型绒面。用于制备单晶硅绒面的腐蚀液一般为 NaOH、异丙醇和硅酸钠的混合溶液。由于多晶硅具有与单晶硅完全不同的晶体结构，因此用于制备单晶硅绒面的腐蚀液不能用于腐蚀多晶硅片。目前，用于制备多晶硅绒面的腐蚀液一般为HF-HNO3体系的腐蚀液，将多晶硅片放在该体系的腐蚀液中进行腐蚀后，会在多晶硅片的表面形成凹凸不平的虫状绒面结构，该虫状绒面结构可以降低太阳光的反射率，使照射在硅片表面的光能更多的被吸收到硅片中去，从而可以提高光电转换效率。现有技术中公开的HF-HNO3体系的腐蚀液一般由HF、HN03和亚硝酸盐组成，该类腐蚀液稳定性较差，在腐蚀过程中形成的虫状绒面结构的长宽比较小，长宽比较小的虫状绒面结构不能有效地降低光的发射作用，因此提高光电转变效率的效果较差。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题在于提供一种用于制备多晶硅绒面的腐蚀液，使用该腐蚀液制备的多晶硅绒面结构可以降低对于太阳光的反射率，从而提高光电转换效率。为了解决以上技术问题，本专利技术提供一种用于制备多晶硅绒面的腐蚀液，包括以下浓度的成分HF2摩尔/升 5摩尔/升；HNO35摩尔/升 15摩尔/升；亚硝酸盐 0.2摩尔/升 1摩尔/升；H2SiF6 0. 1摩尔/升 0. 5摩尔/升；余量水。优选的，所述腐蚀液包括3. 1摩尔/升 4摩尔/升的HF。优选的，所述腐蚀液包括6摩尔/升 10摩尔/升的ΗΝ03。优选的，所述腐蚀液包括0. 3摩尔/升 0. 5摩尔/升的亚硝酸盐优选的，所述腐蚀液包括0. 15摩尔/升 0. 3摩尔/升的H2SiF6。本专利技术还提供一种制作太阳能多晶硅绒面的方法，包括将多晶硅在以上任意技术方案所述的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀温度为6°C 25°C，腐蚀时间为4分钟 8分钟。优选的，所述腐蚀温度为7°C 15°C。优选的，所述腐蚀温度为8°C 10°C。优选的，所述腐蚀时间为5分钟 6分钟。优选的，在将所述多晶硅在腐蚀液中进行腐蚀之前还包括用超声波清洗多晶硅。本专利技术在HF和HNO3中添加亚硝酸盐和作为稳定剂，实验结果表明，与现有技术相比，使用本专利技术提供的腐蚀液制备的多晶硅绒面结构可以有效地降低对太阳光的反射率。附图说明 图1为本专利技术实施例1制备的多晶硅绒面的放大500倍的SEM照片。具体实施例方式为了进一步了解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点，而不是对本专利技术权利要求的限制。本专利技术提供一种用于制作多晶硅绒面的腐蚀液，以质量浓度计，包括HF2摩尔/升 5摩尔/升；HNO35摩尔/升 15摩尔/升；亚硝酸盐 0. 2摩尔/升 1摩尔/升； H2SiF6 0. 1摩尔/升 0. 5摩尔/升；余量水。本专利技术提供的腐蚀液中，包括2摩尔/升 5摩尔/升的HF，优选的，HF的浓度为2. 5摩尔/升 4. 5摩尔/升，更优选为3摩尔/升 4摩尔/升，更优选为3. 1摩尔/ 升 3. 4摩尔/升。本专利技术提供的腐蚀液中，还包括5摩尔/升 15摩尔/升的HNO3,优选的，HNO3的浓度为6摩尔/升 12摩尔/升，更优选为7摩尔/升 10摩尔/升，更优选为7. 5摩尔/升 8. 5摩尔/升。按照本专利技术，所述腐蚀液中还包括0. 2摩尔/升 1摩尔/升的亚硝酸盐，优选的，亚硝酸盐的浓度优选为0. 3摩尔/升 0. 8摩尔/升，更优选为0. 3摩尔/升 0. 5摩尔/升，更优选为0. 35摩尔/升 0. 4摩尔/升。所述亚硝酸盐的具体例子可以为NaN02、 KNO2^NH4NO2中的一种或多种，更优选为NaNO2本专利技术提供的腐蚀液中，还包括0. 1摩尔/升 0. 5摩尔/升的H2SiF6，优选的， H2SiF6的浓度为0. 11摩尔/升 0. 4摩尔/升，更优选为0. 2摩尔/升 0. 3摩尔/升， 更优选为0. 25摩尔/升 0. 28摩尔/升。本专利技术提供的腐蚀液中，HF和HNO3作为强化剂，对多晶硅的表面进行腐蚀，形成虫状结构。亚硝酸盐和为腐蚀液稳定剂，在该两种稳定剂存在的条件下，可以保证腐蚀液的稳定性，从而有利于制备表面质量均勻的虫状结构。与现有技术相比，本专利技术添加一定量的H2SiF6作为腐蚀液的稳定剂，实验结果表明，本专利技术提供的腐蚀液制备的多晶硅绒面可以明显的降低太阳光的反射率。本专利技术提供的一种制作多晶硅绒面的方法的具体实施方式包括将多晶硅在以上技术方案所述的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀温度为6°C 25°C，腐蚀时间为4分钟 8分钟。按照本专利技术，利用上述腐蚀液对多晶硅表面进行腐蚀时，腐蚀温度优选为7°C 200C，更优选为8°C 15°C。温度过低时，反应不能充分的进行，从而影响绒面的表面质量。 如果温度过高，其中的有效成分容易挥发，腐蚀液的稳定性较差。本专利技术优选的腐蚀时间为 4分钟 8分钟，更优选为5分钟 7分钟，更优选为5分钟 6分钟。腐蚀时间过短时， 腐蚀效果较差；如果腐蚀时间过长，则可能会将其它的晶面腐蚀掉，从而影响绒面的表面质Mo按照本专利技术，在将多晶硅利用上述腐蚀液进行腐蚀前，还包括清洗硅片的步骤，清洗硅片目的是去除油污，清洗硅片的方法可以用超声波进行清洗。去除硅片表面的油污后， 将硅片放在腐蚀液中进行腐蚀处理，制备绒面。制备绒面后，用清洗液去除多晶硅绒面上的残留物，清洗液可以为纯净水、丙酮、乙醇中的一种或多种。清洗掉多晶硅绒面上的残留物后，将多晶硅片进行甩干处理。以下以具体实施例说明本专利技术的效果，但是本专利技术的保护范围不受实施例的限制。以下实施例中，多晶硅片规格为125mmX 125mm。实施例1本实施例中使用的腐蚀液包括2. 8摩尔/升的HF、7摩尔/升的ΗΝ03、0. 2摩尔/ 升的NaNO2、0· 1摩尔/升的H2SiF6，余量水。操作步骤如下1)超声波清洗多晶硅片，去除表面油污2)将清洗后的多晶硅片放在温度为8°C的腐蚀液中腐蚀8分钟；3)纯净水冲洗多晶硅片，去除表面残留物；4)在甩干机中将多晶硅片甩干。用SEM观察多晶硅表面形貌，如图1所示，形成了均勻的绒面结构。测量多晶硅片反射率为23.5%。将多晶硅片组装成电池，测量电性能列于表1。实施例2本实施例中使用的腐蚀液包括3本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种用于制作多晶硅绒面的腐蚀液，包括以下浓度的成分：ＨＦ ２摩尔／升～５摩尔／升；ＨＮＯ３ ５摩尔／升～１５摩尔／升；亚硝酸盐 ０．２摩尔／升～１摩尔／升；Ｈ２ＳｉＦ６ ０．１摩尔／升～０．５摩尔／升；余量水。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李建飞，汪琴霞，黄镇，郭建东，樊选东，
申请(专利权)人：江阴浚鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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