本发明专利技术公开了一种制备多晶硅绒面的方法，其包括步骤：1、将多晶硅原料片在PECVD设备上单面镀一层厚为40～50nm的氮化硅保护膜；2、用瑞纳制绒设备对镀氮化硅保护膜的多晶硅片的背面制绒；混合酸液是体积比为1∶2∶1.6的比例进行混合的浓度为40％的氢氟酸水溶液、浓度为65％的硝酸水溶液与去离子水，温度保持在5-7℃，制绒2-3分钟；3、将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为10％～20％的氢氟酸水溶液中浸泡10～30min，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。使用该方法制备多晶硅绒面，只是使多晶硅单面制绒，而背面保持平坦面，经过背电极和背面场印刷后烧结更能形成良好的欧姆接触，并减少金属与硅之间的电子-空穴对的复合，从而提高了多晶硅电池的电性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能电池制造技术，特别涉及。
技术介绍
目前多晶硅片的制备需要经过以下工序将多晶硅原料片进行双面酸制绒工序、 单面扩散工序、湿法单面刻蚀工序、镀氮化硅减反射膜工序、印刷与烧结工序和测试与分档工序。由于在双面酸制绒工序中，多晶硅片完全浸在药液中，双面都被制绒，使多晶硅片的正、背两面均获得虫孔状的高低不平的绒面结构，在后序湿法单面刻蚀工序中，硅片非扩散背面又经过一次酸腐蚀，从而导致非扩散背面高低不平，影响后序背面场和背电极的烧结， 使背面场和背电极不能与硅实现良好的欧姆接触，增加了金属与硅之间的电子-空穴对的复合，降低了电池片的最终电性能。
技术实现思路
本专利技术的目的就是解决现有技术中存在的上述问题，提供，使用该方法制备多晶硅绒面，只是使多晶硅单面制绒，而背面保持平坦面，提高了多晶硅电池片的电性能。为实现上述目的，本专利技术的技术解决方案是，其包括以下步骤1、将多晶硅原料片在PECVD设备上单面镀一层氮化硅保护膜；在PECVD设备沉积腔室内充气体流量比为2. 7 2. 9 1的氨气和硅烷气体，沉积温度为400 450°C，在原料片上沉积一层膜厚为40 50nm，折射率为2. 1的氮化硅保护膜；2、再将镀有氮化硅保护膜的多晶硅原料片单面制绒，将多晶硅片有镀膜层的一面向上放置在瑞纳制绒设备上，使没有镀保护膜的一面与药液接触，进行单面制绒；药液是由以下材料组成的按照体积比为1 2 1.6的比例进行混合的浓度为40%的氢氟酸水溶液、浓度为65%的硝酸水溶液与去离子水，单面腐蚀深度控制在3. 0士0. 2um，反射率控制在 22% 士3。3、去除多晶硅片上的氮化硅保护膜，将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为10% 20%的氢氟酸水溶液中10 30min，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。将经过上述方法制绒好的多晶硅片再进行常规的单面扩散工序、湿法单面刻蚀工序、镀氮化硅减反射膜工序、印刷与烧结工序和测试与分档工序后制成多晶硅电池片。由于本专利技术在制绒前先对硅片的背面制作了保护膜，使硅片在进行制绒时只能对没有保护膜的一面进行，另一面再经过去除保护膜的工序将保护膜去除，这样，该面就能保持平坦，使硅片完成后续工序后制成的多晶硅电池片背面表面平坦，经过背电极和背面场印刷后烧结更能形成良好的欧姆接触，并减少金属与硅之间的电子-空穴对的复合，从而提高了多晶硅电池的电性能，最终能使多晶硅电池的效率提高0. 以上。具体实施例方式下面结合具体实施例对本法明做进一步的描述。实施例1，本实施例包括以下步骤1、将多晶硅原料片在XXL型板式PECVD设备上单面镀一层氮化硅保护膜。调节 XXL型板式PECVD镀膜机沉积腔内氨气与硅烷的气体流量比例为2. 7 1，并提高沉积温度为450°C，最后可在硅片表面形成一层膜厚为40nm，折射率为2. 1的氮化硅保护膜。该层氮化硅保护膜只起到保护多晶硅片在制绒过程中不受酸气的腐蚀的作用。2、再将镀有氮化硅保护膜的多晶硅原料片单面制绒。将多晶硅片镀膜层的一面向上放置在瑞纳制绒设备上，使没有镀保护膜的一面与药液接触，进行单面制绒。药液是由以下材料组成的按照体积比为1 2 1.6的比例进行混合的浓度为40%的氢氟酸水溶液、 浓度为65%的硝酸水溶液与去离子水，单面腐蚀深度控制在2. 9um，反射率控制在19%。3、去除多晶硅片上的氮化硅保护膜，将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为15%的氢氟酸HF水溶液中15min，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。实施例2，本实施例包括以下步骤1、将多晶硅原料片在XXL型板式PECVD设备上单面镀一层氮化硅保护膜。调节 XXL型板式PECVD镀膜机沉积腔内氨气与硅烷的气体流量比例为2. 8 1，并提高沉积温度为者420°C，最后可在硅片表面形成一层膜厚为43nm，折射率为2. 1的氮化硅保护膜。2、再将镀有氮化硅保护膜的多晶硅原料片单面制绒。将多晶硅片镀膜层的一面向上放置在瑞纳制绒设备上，使没有镀保护膜的一面与药液接触，进行单面制绒。药液是由以下材料组成的按照体积比为1 2 1.6的比例进行混合的浓度为40%的氢氟酸水溶液、 浓度为65%的硝酸水溶液与去离子水，单面腐蚀深度控制在2. 8um，反射率控制在22%。3、去除多晶硅片上的氮化硅保护膜，将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为10%的氢氟酸水溶液中lOmin，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。实施例3，本实施例包括以下步骤1、将多晶硅原料片在XXL型板式PECVD设备上单面镀一层氮化硅保护膜。调节 XXL型板式PECVD镀膜机沉积腔内氨气与硅烷的气体流量比例为2. 9 1，并提高沉积温度为400°C，最后可在硅片表面形成一层膜厚为48nm，折射率为2. 1的氮化硅保护膜。2、再将镀有氮化硅保护膜的多晶硅原料片单面制绒。将多晶硅片镀膜层的一面向上放置在瑞纳制绒设备上，使没有镀保护膜的一面与药液接触，进行单面制绒。药液是由以下材料组成的按照体积比为1 2 1.6的比例进行混合的浓度为40%的氢氟酸水溶液、 浓度为65%的硝酸水溶液与去离子水，单面腐蚀深度控制在3. 2um，反射率控制在25%。3、去除多晶硅片上的氮化硅保护膜，将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为13%的氢氟酸水溶液中30min，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。实施例4，本实施例包括以下步骤1、将多晶硅原料片在XXL型板式PECVD设备上单面镀一层氮化硅保护膜。调节 XXL型板式PECVD镀膜机沉积腔内氨气与硅烷的气体流量比例为2. 75 1，并提高沉积温度为430°C，最后可在硅片表面形成一层膜厚为45nm，折射率为2. 1的氮化硅保护膜。2、再将镀有氮化硅保护膜的多晶硅原料片单面制绒。将多晶硅片镀膜层的一面向上放置在瑞纳制绒设备上，使没有镀保护膜的一面与药液接触，进行单面制绒。药液是由以下材料组成的按照体积比为1 2 1.6的比例进行混合的浓度为40%的氢氟酸水溶液、 浓度为65%的硝酸水溶液与去离子水，单面腐蚀深度控制在3. Oum，反射率控制在20%。3、去除多晶硅片上的氮化硅保护膜，将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为20%的氢氟酸水溶液中20min，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。实施例5，本实施例包括以下步骤1、将多晶硅原料片在XXL型板式PECVD设备上单面镀一层氮化硅保护膜。调节 XXL型板式PECVD镀膜机沉积腔内氨气与硅烷的气体流量比例为2. 85 1，并提高沉积温度为440°C，最后可在硅片表面形成一层膜厚为50nm，折射率为2. 1的氮化硅保护膜。2、再将镀有氮化硅保护膜的多晶硅原料片单面制绒。将多晶硅片镀膜层的一面向上放置在瑞纳制绒设备上，使没有镀保护膜的一面与药液接触，进行单面制绒。药液是由以下材料组成的按照体积比为1 2 1.6的比例进行混合的浓度为40%的氢氟酸水溶液、 浓度为65%的硝酸水溶液与去离子水，单面腐蚀深度控制在2. 95um，反射率控制在21%。3、去除多晶硅片上的氮化硅保护膜，将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为18%的氢氟酸水溶液中25min，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种制备多晶硅绒面的方法，其特征在于：其包括以下步骤：（１）将多晶硅原料片在ＰＥＣＶＤ设备上单面镀一层氮化硅保护膜；在ＰＥＣＶＤ设备沉积腔室内充气体流量比为２．７～２．９∶１的氨气和硅烷气体，沉积温度为４００～４５０℃，在原料片上沉积一层膜厚为４０～５０ｎｍ，折射率为２．１的氮化硅保护膜；（２）再将镀有氮化硅保护膜的多晶硅原料片单面制绒，将多晶硅片有镀膜层的一面向上放置在瑞纳制绒设备上，使没有镀保护膜的一面与药液接触，进行单面制绒；药液是由以下材料组成的：按照体积比为１∶２∶１．６的比例进行混合的浓度为４０％的氢氟酸水溶液、浓度为６５％的硝酸水溶液与去离子水，单面腐蚀深度控制在３．０±０．２ｕｍ，反射率控制在２２％±３。（３）去除多晶硅片上的氮化硅保护膜，将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为１０％～２０％的氢氟酸水溶液中１０～３０ｍｉｎ，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。
【技术特征摘要】
1. 一种制备多晶硅绒面的方法，其特征在于其包括以下步骤(1)将多晶硅原料片在PECVD设备上单面镀一层氮化硅保护膜；在PECVD设备沉积腔室内充气体流量比为2. 7 2. 9 1的氨气和硅烷气体，沉积温度为400 450°C，在原料片上沉积一层膜厚为40 50nm，折射率为2. 1的氮化硅保护膜；(2)再将镀有氮化硅保护膜的多晶硅原料片单面制绒，将多晶硅片有镀膜层的一面向上放置在瑞纳制绒设备上，使没...
【专利技术属性】
技术研发人员：金浩，张艳芳，
申请(专利权)人：光为绿色新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：13
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。