一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件制造技术

一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件，包括型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P外延层，在P外延层上面设有N型漂移区与P阱区，在P阱区表面设有N型源区和P型接触区，在N型漂移区上设有N型缓冲区，P型漏区，在P外延的表面还设有栅氧化层，在P阱的表面有N型源区、P型接触区，N型漂移区表面的P型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述N型绝缘体上硅横向器件的N型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成N型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长P型外延；制备N型漂移区与P阱；制备环形N型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶硅栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率半导体器件领域，更具体的说，是关于一种适用于高压大电 流应用的提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件。技术背景随着人们对现代化生活需求的日益增强，功率集成电路产品的性能越来越受到关 注，其中功率集成电路处理高电压、大电流的能力越来越成为最为主要的性能指标之一。决 定功率集成电路处理高电压、大电流能力大小的因素除了功率集成电路本身电路结构、设 计以及电路所采用的制造工艺之外，相同面积的单个器件能通过的电流能力是衡量功率集 成电路性能和成本的关键。由于功率半导体器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元件，电力 电子技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领域，而半导体功率器件的导通 电阻和击穿电压等特性则决定了电力电子系统的效率、功耗等基本性能。近来绝缘体上硅制造技术日益成熟，与通过传统的体型衬底硅晶圆生产的芯片相 比，基于绝缘体上硅的芯片结构中绝缘层把活动硅膜层与体型衬底硅基板分隔开来，因此 大面积的PN结将被介电隔离取代。各种阱可以向下延伸至氧化埋层，有效减少了漏电流和 结电容。其结果必然是大幅度提高了芯片的运行速度，拓宽了器件工作的温度范围。随着 绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种提高电流密度的Ｎ型绝缘体上硅横向器件，包括：Ｐ型半导体衬底（９），在半导体衬底（９）上面设置有埋氧化层（８），在埋氧化层（８）上设有Ｐ外延层（６），在Ｐ外延层和上面设有Ｎ型漂移区（７）与Ｐ型阱区（１５），在Ｐ型阱区（１５）表面设有Ｎ型源区（１２）和Ｐ型接触区（１１），在Ｎ型漂移区（７）上设有Ｎ型缓冲区（１４），在所述的Ｎ型缓冲区上方设置Ｐ型漏区（１０），在Ｐ　外延层（６）的表面还设有栅氧化层（３）且栅氧化层（３）自Ｐ外延层（６）延伸至Ｎ型漂移区（７），在Ｐ外延层（６）表面的Ｎ型源区（１２）、Ｐ型接触区（１１），Ｎ型漂移区（７）表面除Ｐ型漏区（１０）以外的区域设有场氧化层（１），在栅氧化...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱钦松，刘斯扬，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：32