光纤预制棒的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种光纤预制棒的制造方法。以SiCl4、BBr3、氟氯烷、氧气、氢气、氦气为原料，在石英管内沉积氟硼共掺杂包层和为反光层，然后再沉积芯层。沉积芯层时掺入氢气，通过调节氢气与管内混合气体的比例，使得在芯层中形成不同的羟基含量，最后通过高温熔烧缩棒。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造光缆阻燃聚乙烯护套料方法。
技术介绍
光缆使用在与高压输电线路同塔杆敷设的环境中，由于该光缆具有外径小、重量 轻、安装跨距大、抗雷击、不受电磁干扰、易于敷设等诸多优点，并且可以沿用已有的电力线 路，充分利用其杆塔资源，节省大量工程施工费用，因而近年来倍受电力部门的青睐，在电 力网改中得到广泛应用。紫外传输光纤要求羟基的含量达1400 1500PPm，而目前制造光纤的几种方法对 于羟基的含量均难以控制调节，或达不到上述含量，使得紫外传输光纤的性能不理想。
技术实现思路
为了解决上述弊端，本专利技术提供一种，其特征在于所述的 预制棒通过对石英管的不断旋转、注入混合气体、移动加热等步骤在石英管的内壁先沉积 反应光层再沉积芯层，最后经过高温熔烧缩制而成，其中所述沉积反光层时的混合气体为 SiCl4IOO 1000ml/min、BBr3150 1500ml/min、仏300 2000ml/min、氟氯烧 2 200ml/ min，沉积芯层时的混合气体为 SiCl4IOO 1000ml/min、A500 2000ml/min、H25 300ml/ min、He 100 500ml/min，其中氢气与混合气体为体积比为0. 1 10%，所述移动加热的 加热温度为1200 1500°C，从石英管一端加热移动到达另一端后快速返回初始端，所述高 温熔烧的温度为1900 2000°C。具体实施例方式如附附图说明图1所示，本专利技术所用汽相沉积装置由氢气入口 1、氦气入口 2、氟氯烷入3、02 入口 4、SiC14入口 5、BBr3入口 6、气体流量控制器7、旋转连接器8、玻璃车床9、氢氧焰燃 烧器10等部分构成，其中石英管11夹在玻璃车床9上并与旋转连接器8相接，旋转连接器 8在石英管11于玻璃车床9上旋转时，可使气体流量控制器7不旋转，氢氧焰燃烧器10可 在玻璃车床9上沿石英管11的长度方向左右移动。如附图2所示，本专利技术所述预制棒由芯12、反光层13和石英包层14构成。本专利技术以SiC14、BBr3、氟氯烷、氧气、氢气及氦气按一比例混合通入石英管内，先 沉积氟硼掺杂包层作反光层、再沉积芯层，沉积时掺入氢气，通过调节氢气与管内混合气体 比例，使芯中形成不同的羟基含量，最后通过高温熔烧缩成预制棒。如附图1所示，制造本专利技术所述的预制棒时，将处理清洁好的石英管11夹在玻璃 车床9上，使其以20 50转/分的速度旋转，使SiCL4按100 1000/min、BBr3按150 1500/min、02按300 2000ml/min、氟氯烷按2 200ml/min的量通过气体流量控制器7 混合后进入石英管11内，石英管11外通过氢氧焰燃烧器10加热到1200 1500°C，且氢氧 焰燃烧器10喷出的火焰从石英管11的一端按50 150毫米/分的速度沿混合气体进入石英管11的方向移动，达到终端时立即以3000 5000毫米/分的速度返回初始端，从而 完成一次沉积层的生成。反复上述移动过程若干次后预制棒的反光层沉积完毕。停止BBr3 及氟氯烷的通入，增加氢气以5 300ml/min的量和氦气以100 500ml/min的量与前述 的SiC14及02的通入量经气体流量控制器7混合通入沉积好反光层的石英管11内，其中 氢气与所述混合气体体积比为0. 1 10%，再经过与沉积反光层的旋转和加热及移动过程 相同的步骤即可完成若干层的芯层沉积。停止所有气体的通入，再提高氢氧焰燃烧器10的 火焰温度到1900 2000°C进行缩棒即制成本专利技术所述的预制棒。本专利技术通过各气体通入量的调节可制备出具有多种羟基含量的适用不同波长 (200 400nm)的高透过率紫外光纤，在308nm波长的透过率达90 95%，在254nm，可达 65 75%。本专利技术不限于上述实施例，在本专利技术的构思范围内，根据上述说明书的描述，本领 域的普通技术人员还可作出一些显而易见的改变，但这些改变均应落入本专利技术权利要求的 保护范围之内。权利要求1. 一种，其特征在于所述的预制棒通过对石英管的不断旋 转、注入混合气体、移动加热等步骤在石英管的内壁先沉积反应光层再沉积芯层，最后经 过高温熔烧缩制而成，其中所述沉积反光层时的混合气体为SiCl4IOO lOOOml/min、 BBr3150 1500ml/min、A300 2000ml/min、氟氯烧2 200ml/min，沉积芯层时的混合气 体为 SiCl4IOO 1000ml/min,02500 2000ml/min、H25 300ml/min、Hel00 500ml/min, 其中氢气与混合气体为体积比为0. 1 10%，所述移动加热的加热温度为1200 1500°C， 从石英管一端加热移动到达另一端后快速返回初始端，所述高温熔烧的温度为1900 2000°C。全文摘要本专利技术涉及一种。以SiCl4、BBr3、氟氯烷、氧气、氢气、氦气为原料，在石英管内沉积氟硼共掺杂包层和为反光层，然后再沉积芯层。沉积芯层时掺入氢气，通过调节氢气与管内混合气体的比例，使得在芯层中形成不同的羟基含量，最后通过高温熔烧缩棒。文档编号C03B37/018GK102120687SQ201010504628公开日2011年7月13日 申请日期2010年10月13日 优先权日2010年10月13日专利技术者孙义兴, 廖郑洪, 张华 , 张腊生, 李涛, 李炳惠, 许建国, 谢河彬, 谭会良, 陈曲 申请人:成都亨通光通信有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光纤预制棒的制造方法，其特征在于：所述的预制棒通过对石英管的不断旋转、注入混合气体、移动加热等步骤在石英管的内壁先沉积反应光层再沉积芯层，最后经过高温熔烧缩制而成，其中所述沉积反光层时的混合气体为ＳｉＣｌ４１００～１０００ｍｌ／ｍｉｎ、ＢＢｒ３１５０～１５００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ２３００～２０００ｍｌ／ｍｉｎ、氟氯烷２～２００ｍｌ／ｍｉｎ，沉积芯层时的混合气体为ＳｉＣｌ４１００～１０００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ２５００～２０００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈ２５～３００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅ１００～５００ｍｌ／ｍｉｎ，其中氢气与混合气体为体积比为０．１～１０％，所述移动加热的加热温度为１２００～１５００℃，从石英管一端加热移动到达另一端后快速返回初始端，所述高温熔烧的温度为１９００～２０００℃。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙义兴，张腊生，谭会良，许建国，廖郑洪，李炳惠，张华，李涛，陈曲，谢河彬，
申请(专利权)人：成都亨通光通信有限公司，
类型：发明
国别省市：90