发光器件和发光器件封装制造技术

本发明专利技术提供了一种发光器件和发光器件封装。发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间以发射第一波长的光的有源层；和布置在发光结构上的再发射层，该再发射层包括氮化物半导体，其中再发射层吸收第一波长范围的光并且再发射层发射比第一波长范围更长的第二波长范围的光，并且再发射层由分别具有不同的铟(In)组分的多个层构成，并且该多层中的铟含量在该多层的顶层中最大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光器件和一种发光器件封装。
技术介绍
由于薄膜生长和薄膜器件元件的发展，包括使用半导体的III-V族或者II-VI族化合物半导体元素的发光二极管和激光二极管的发光器件能够呈现各种颜色，例如红色、 绿色和蓝色以及红外线。荧光材料的使用或者颜色的组合允许发光器件发出具有良好发光效率的白光。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有低功耗、半永久使用、快速响应速度、安全性和环保的优点。发光器件已经被应用于光通信装置的传输模块、构成液晶显示器(LCD)装置的背光的替代冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、替代荧光灯和白炽灯的白色发光二极管发光器件、车辆的头灯，并且甚至应用于交通灯。
技术实现思路
本专利技术涉及一种发光器件和一种发光器件封装。本专利技术提供一种具有提高的发光效率的发光器件。在随后的描述中将会部分地阐述本发，本专利技术对于已经研究过下面所述的本领域技术人员来说将是显而易见的，或本专利技术可以通过本专利技术的实践来知晓。通过在给出的描述及其权利要求以及附图中特别地指出的结构可以实现并且获得本专利技术的目的和其它的优点。为了实现这些目的和其他优点以及根据本专利技术的目的，如在此具体化并且一般性地描述的，一种发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间以发射第一波长的光的有源层；和布置在发光结构上的再发射层，该再发射层包括氮化物半导体，其中该再发射层吸收第一波长范围的光并且再发射层发射比第一波长范围更长的第二波长范围的光，并且该再发射层由分别具有不同的铟(In)组分的多层构成，并且该多层中的铟含量在该多层的顶层中为最大。该第一波长范围的光可以包括蓝光。该第一波长的光可以包括UV光。该再发射层可以具有hGaN层。该再发射层可以具有hxAlyGiinN层(0彡X，y彡1)。该发光结构可以包括布置在其表面中的凹凸结构。该再发射层可以以预定厚度布置在发光结构的凹凸结构上。该再发射层可以包括根据发光结构的凹凸结构布置的凹凸结构。该再发射层可以保形地涂覆在发光结构上。该再发射层可以布置在第一导电类型半导体层或者第二导电类型半导体层上。该再发射层可以布置在η型半导体层或者ρ型半导体上。该发光器件可以进一步包括布置在再发射层上的电极。该电极可以包括从由钼、铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Pt)、钒 (V)、钨(W)、铅(Pd)、铜(Cu)、铑(1 )和铱(Ir)组成的组中选择的金属或者所述金属的合^^ ο 该发光器件可以进一步包括布置在第二导电类型半导体层上的欧姆层。该欧姆层可以包括从由ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO、ΑΤΟ、GZ0、ΙΖ0Ν、 AGZO, IGZO、ZnO, IrOx、RuOx, NiO、RuOx/1 TO, Ni/Ir0x/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、Ni、Cr、Ti、 Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf组成的组中选择的至少一个。该发光器件可以进一步包括布置在欧姆层上的金属支撑件。该金属支撑件可以包括从由从由Mo、Si、W、Cu和Al组成的组中选择的材料或者该组的合金、Au、Cu合金、Ni-镍、Cu-W和载具晶圆组成的组中选择至少一个。该再发射层可以布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的每一个的表面上。在本专利技术的另一个方面，一种发光器件封装包括封装主体；布置在封装主体上的发光器件，该发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、布置在第一导电类型半导体层上以发射第一波长范围的光的有源层、和布置在有源层上的第二导电类型半导体层，在第二导电类型半导体层上布置有第二电极，并且该发光器件还包括布置在第二导电类型半导体层上的再发射层，该再发射层由氮化物半导体构成并且被配置为吸收第一波长范围的光以发射比第一波长范围更长的第二波长范围的光；布置在封装主体上的第一和第二电极层，该第一和第二电极层被与发光器件连接；和被配置为围绕发光器件的填充材料，其中该再发射层由分别具有不同的铟(In)组分的多层构成，并且该多层中的铟含量在该多层的顶层中为最大。在本专利技术的进一步的方面中，一种发光系统包括光源模块，该光源模块包括基板和布置在基板上的发光器件；被配置为引导从光源模块发射的光的导光板；布置在导光板的前表面上以扩散从导光板引导的光的光学片；和被配置为在其中容纳光源模块、导光板和光学片的底盖，其中发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、布置在第一导电类型半导体层上以发射第一波长的光的有源层、和布置在有源层上的第二导电类型半导体层，在第二导电类型半导体层上布置有第二电极；和布置在第二导电类型半导体层上的再发射层，该再发射层由氮化物半导体构成并且被配置为吸收第一波长范围的光以发射比第一波长范围更长的第二波长范围的光，并且该再发射层由分别具有不同的铟 (In)组分的多层构成，并且该多层中的铟含量在该多层的顶层中是最大的。根据发光器件、用于制造发光器件的方法和发光器件封装，可以增强发光效率。要理解的是，本专利技术的前述的总体描述和下述详细描述是示例性的和解释性的并且旨在提供如权利要求书所记载的本专利技术的进一步解释。附图说明被包括以提供本专利技术的进一步理解并且被并入这里构成本申请的一部分的附图示出本专利技术的实施例并且与说明一起用于解释本专利技术的原理。在图中图1是示出发光器件的第一实施例的侧截面图；图2A到2E是示出用于制造发光器件的方法的第二实施例的图；图2F是示出发光器件的第三实施例的侧截面图；图3是示出发光器件的第四实施例的侧截面图；图如到4G是示出用于制造发光器件的方法的第五实施例的图；图5是示出发光器件封装的实施例的图；图6是示出包括发光器件封装的发光装置的实施例的分解透视图；并且图7是示出包括发光器件封装的显示装置的图。具体实施例方式现将详细参考本专利技术的特定实施例，其中，附图中示出本专利技术的示例。尽可能的， 在整个附图中，使用相同的附图标记指示相同或类似的组件。 如下，将参考附图描述能够体现本专利技术的目的的本专利技术的示例性实施例。如果在实施例的描述中公开了每一层(膜)、区域、图案和结构布置在基板、对应层(膜)、区域、焊盘或者图案中的每一个的“上”或者“下”，则表述“上”和“下”可以包括 “直接地形成在上和下”和“间接地形成在上和下并且在其间布置有另外的层”。将根据附图的标准描述每一层的“上”和“下”。为了解释和精确起见，在附图中，每一层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或者示意性示出。在图中所示的每一个组件的尺寸可以不完全反映实际尺寸。图1是示出发光器件的第一实施例的侧截面图。如下，将参考图1描述发光器件的第一实施例。如在图中所示，发光器件包括衬底100 ；包括被设置在衬底100上的第一导电类型半导体层110、布置在第一导电类型半导体层110上以发射光的有源层和布置在有源层 120上的第二导电类型半导体层130的发光结构；和布置在第二导电类型半导体层130上的再发射层140。有源层是根据实施例能够产生具有各种波长的光的层并且产生的光的波长的范围不受限制。第一电极150设置在第一导电类型半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间以发射第一波长的光的有源层；和布置在所述发光结构上的再发射层，所述再发射层包括氮化物半导体，其中所述再发射层吸收第一波长范围的光，并且所述再发射层发射比所述第一波长范围更长的第二波长范围的光，并且所述再发射层包括分别具有不同的铟（Ｉｎ）组分的多层，并且所述多层中的铟含量在所述多层的顶层中是最大的。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：文用泰，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR