发光器件封装和照明系统技术方案

本发明专利技术公开一种发光器件封装和照明系统。该发光器件封装包括：主体；主体上的第一引线框架；第一引线框架上的多个发光二极管；以及发光二极管上的制模构件。发光二极管之间的距离包括等于或者小于发光二极管的第一发光二极管的第一侧的长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光器件封装和照明系统。
技术介绍
发光二极管(LED)能够组成光源以通过使用GaAs、AlGaAs、GaN, InGaN以及 InGaAlP基化合物半导体材料来产生光。LED被封装以组成发光器件以表示各种颜色，并且发光器件已经被用作诸如产生各种颜色的照明指示器、字符指示器以及图像指示器的各种领域中的光源。
技术实现思路
实施例提供一种能够减少发光器件之间的热干扰的发光器件封装。实施例提高一种能够通过设置在预定范围内的、在一个引线框架上提供的发光器件之间的距离来提高热辐射效率的发光器件封装。根据实施例，发光器件封装包括主体；第一引线框架，所述第一引线框架在主体上；多个发光二极管，所述多个发光二极管在第一引线框架上；以及制模构件，所述制模构件在发光二极管上。发光二极管之间的距离包括等于或者小于所述发光二极管的第一发光二极管的侧面的第一侧的长度。根据实施例，发光器件封装包括主体，所述主体包括具有开口的上部的腔体；第一和第二引线框架，所述第一和第二引线框架在主体的腔体中；第一发光二极管，所述第一发光二极管在第一引线框架上；第二发光二极管，所述第二发光二极管在第一引线框架上， 第二发光二极管以第一距离与第一发光二极管隔开；以及制模构件，所述制模构件覆盖第一和第二发光二极管。所述第一距离等于或者小于所述第一发光二极管的较短侧的长度。根据实施例，照明系统包括多个发光器件封装；板，在其上设置发光器件封装； 以及光学构件，所述光学构件被设置在发光器件封装的光学路径上。该发光器件封装的至少一个包括主体；第一引线框架，所述第一引线框架在主体上；多个发光二极管，所述多个发光二极管在第一引线框架上；以及制模构件，所述制模构件在发光二极管上。所述发光二极管之间的距离等于或者小于所述第一发光二极管的至少一侧的长度。附图说明图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的侧截面图；图2是图1的平面图；图3是在图1的第一引线框架上安装的两个发光二极管的距离的视图；图4示出根据第二实施例的在一个引线框架上布置的三个发光二极管之中的两个发光二极管之间的距离；图5是示出根据第三实施例的三个发光二极管被安装在两个引线框架上的视图；图6是示出根据第四实施例的在一个引线框架上安装的具有不同的尺寸的发光4二极管之间的距离的视图；图7是示出根据第五实施例的在一个引线框架上安装的三个发光二极管之中的两个发光二极管之间的距离的视图；图8是示出根据第六实施例的具有不同的尺寸并且在两个引线框架上安装的发光二极管之间的距离的视图；图9是示出根据第七实施例的发光器件封装的平面图；图IOA至图14B是示出根据图1的发光器件封装中的发光二极管的操作的引线框架的热分布的视图；图15是示出图1的发光器件封装中的发光二极管之间的距离和温度分布的图；图16是示出根据实施例的发光二极管的视图；图17是示出根据实施例的发光二极管的示例的视图；图18是示出根据实施例的显示设备的视图；图19是示出根据实施例的显示设备的另一示例的视图；以及图20是示出根据实施例的照明设备的视图。具体实施例方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案或结构被称为是在另一基板、另一层(或)膜、另一区域、另一衬垫或者另一图案“上”或者“下”时，它能够“直接地”或者“间接地”在另一基板、层(或)膜、区域、衬垫或者图案上方，或者还可以存在一个或者多个插入层。已经参考附图描述了层的这样的位置。为了方便或者清楚起见，附图中所示的每个层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或者示意性地绘制。另外，元件的尺寸没有完全地反映真实尺寸。图1是根据第一实施例的发光器件封装的侧截面图，并且图2是图1的平面图。参考图1和图2，发光器件封装10包括主体12、腔体14、多个引线框架21和23以及多个发光二极管31和33。主体12可以包括硅材料、陶瓷材料以及树脂材料中的一个。例如，主体12可以包括从由硅、SiC(碳化硅)、A1N(氮化铝)、PPA(聚邻苯二甲酰胺)以及LCP(液晶聚合体) 组成的组中选择的至少一个，但是实施例不限于此。主体12可以包括单层结构或者多层结构的基板，并且可以被注射制模，但是实施例不限于此。主体12包括具有开口的上部的腔体14。腔体14可以具有包含预定曲率的凹陷杯形状或者凹陷管形状。腔体14的表面可以具有圆形形状或者多边形形状，但是实施例不限于此。腔体14的侧部可以是由不同于主体12的材料来形成。腔体14的外围表面可以相对于与腔体14的底表面相垂直的轴倾斜，但是实施例不限于此。在腔体14中引线框架21和23的第一部分可以彼此隔开，并且引线框架21和23 的第二部分可以被暴露于主体12之外。引线框架21和23的第一部分的下表面可以与主体12的下表面隔开。引线框架21和23可以具有引线框架型、金属薄膜型或者铜层型的PCB (印制电路板)。在下文中，为了便于解释，将代表性地描述具有引线框架型的引线框架21和23。引线框架21和23的厚度可以处于大约0. Imm至大约0. 5mm的范围内。优选地，引线框架21 和23的厚度可以处于大约0. Imm至大约0. 2mm的范围内。根据热辐射效率和封装类型，引线框架21和23可以具有各种厚度。发光二极管31和33通过粘合剂被附着到第一引线框架21，并且通过使用引线37 被电连接到引线框架21和23。根据另一实施例，通过引线结合方案、管芯结合方案或者倒装结合方案，可以安装发光二极管31和33，但是实施例不限于此。发光二极管31和33可以并联或者串联连接到引线框架21和23。根据芯片类型、 引线框架的数目以及发光二极管31和33的布置，发光二极管31和33的连接方案可以变化。另外，通过使用管芯浆(die paste)，可以将发光二极管31和33安装在第一引线框架 21上，并且管芯浆可以包括导电材料。发光二极管31和33可以包括包含III和V族元素的化合物半导体的LED芯片。 例如，发光二极管 31 和 33 可以包括包含 AUnGaN、InGaN、GaN、GaAs、InGaP, AllnGaP, InP 或者InGaAs基半导体的LED芯片。发光二极管31和33中的至少一个可以包括蓝色LED芯片、黄色LED芯片、绿色 LED芯片、红色LED芯片、UV LED芯片、琥珀色LED芯片或者蓝绿LED芯片。在腔体14中提供的发光二极管31和33的数目和类型可以变化。发光二极管31和33可以包括用以发射具有不同颜色波长带的光的LED芯片或者用以发射具有相同颜色波长带的光的LED芯片， 但是实施例不限于此。制模构件16被设置在腔体14中并且覆盖发光二极管31和33。制模构件16可以包括诸如硅或者环氧的透射树脂。制模构件16的表面可以具有平坦的形状、凹形形状或者凸形形状。制模构件16可以包括至少一种类型的发光材料。发光材料可以包括YAG、TAG、硅酸盐、氮化物以及氮氧化物基材料中的至少一个。透镜(未示出)可以被形成在制模构件16上。根据功能和光分布，透镜可以选择性地包括凹透镜和/或凸透镜。发光器件封装10包括发光二极管31和33以提高光强度。发光二极管31和33 可以被安装在引线框架21和23的第一引线框架21上。在发光器件封装10中，发光二极管31和33被安装本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件封装，包括：主体；第一引线框架，所述第一引线框架在所述主体上；多个发光二极管，所述多个发光二极管在所述第一引线框架上；以及制模构件，所述制模构件在所述发光二极管上，其中，所述发光二极管之间的距离包括等于或者小于所述发光二极管的第一发光二极管的第一侧的长度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金庚夋，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR