扇出高密度封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及扇出高密度封装结构，包括保护层；再布线金属层，所述再布线金属层嵌于保护层中；至少一组布线封装层；顶部封装层；设置于保护层底部开口中的金属下方的连接球。与现有技术相比，本实用新型专利技术请求保护的扇出高密度封装结构，可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品，降低了系统内电阻、电感以及芯片间的干扰因素。此外，可以形成更为复杂的多层互联结构，实现集成度更高的圆片系统级封装。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体技术，尤其涉及一种扇出高密度封装结构。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。在公告号为CN1747156C的中国专利中就公开了一种封装载板。所述封装载板包括载板，所述载板包括一表面；位于所述载板表面上的接球垫；形成于所述载板表面上的防焊层，所述防焊层包括至少一开口，所述开口露出所述接球垫；所述封装载板还包括一图案化金属补强层，所述图案化金属补强层沿着所述防焊层开口的侧壁形成于所述接球垫上。按照上述方法所封装制造的最终产品仅具有单一的芯片功能，然而，随着半导体产品轻薄短小的趋势以及产品系统功能需求的不断提高，如何进一步提高系统级封装的集成性成为本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是如何实现具有多层结构的扇出系统级封装。为解决上述技术问题，本技术提供扇出高密度封装结构，包括保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．扇出高密度封装结构，其特征在于，包括：保护层，所述保护层包括底部保护层、中间保护层和上保护层，其中底部保护层和上保护层中均设有开口；再布线金属层，所述再布线金属层嵌于保护层中，其中，再布线金属层的部分金属设于底部保护层和上保护层的开口中；至少一组布线封装层，所述布线封装层位于上保护层上，包括依次位于上保护层上的正贴装层、布线封料层、布线层；顶部封装层，所述顶部封装层位于布线封装层上，包括依次位于布线封装层上的倒贴装层、底部填充、顶部封料层；设置于底部保护层开口中的金属下方的连接球。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶玉娟，石磊，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32