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本实用新型涉及扇出高密度封装结构，包括保护层；再布线金属层，所述再布线金属层嵌于保护层中；至少一组布线封装层；顶部封装层；设置于保护层底部开口中的金属下方的连接球。与现有技术相比，本实用新型请求保护的扇出高密度封装结构，可以形成包含整体系统...
该专利属于南通富士通微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通富士通微电子股份有限公司授权不得商用。

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