制造MEMS器件的方法以及MEMS器件技术

本发明专利技术涉及制造MEMS器件的方法以及MEMS器件，并提供了制造优选地用于微机电系统的器件的制造方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电极，其中第一电极至少在其一端处具有第一倾斜端部；在第一电极上形成牺牲层，其中牺牲层具有第一倾斜边缘，该第一倾斜边缘和第一倾斜端部彼此叠置，使得第一倾斜边缘的厚度随着第一倾斜端部的厚度增加而减小；在第一电极上形成第一隔离体，其中第一隔离体与第一倾斜边缘接触；在牺牲层和第一隔离体上形成梁电极；以及在形成梁电极以后去除牺牲层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种制造器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极，所述第一电极至少在其一端处具有第一倾斜端部；在所述第一电极上形成牺牲层，所述牺牲层具有第一倾斜边缘，所述第一倾斜边缘和所述第一倾斜端部彼此叠置，使得所述第一倾斜边缘的厚度随着所述第一倾斜端部的厚度增加而减小；在所述第一电极上形成第一隔离体，所述第一隔离体与所述第一倾斜边缘接触；在所述牺牲层和所述第一隔离体上形成梁电极；以及在形成所述梁电极以后去除所述牺牲层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜木隆史，岛内岳明，今井雅彦，丰田治，上田知史，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP