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本发明涉及制造MEMS器件的方法以及MEMS器件，并提供了制造优选地用于微机电系统的器件的制造方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电极，其中第一电极至少在其一端处具有第一倾斜端部；在第一电极上形成牺牲层，其中牺牲层具有第一倾斜边缘，该...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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