一种高功率封装模块制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高功率封装模块，主要包括引线框架、芯片、金属焊线和塑封体，所述引线框架包括载片台和引脚，所述载片台上设有高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件，所述控制芯片和被动元件设于厚膜电路上，所述金属焊线实现高功率芯片、厚膜电路、控制芯片与引脚间的互联，所述高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件上覆有保护胶。与现有技术相比，本实用新型专利技术请求保护的一种高功率封装模块，能够效地防止高功率芯片对控制芯片的电、热干扰，绝缘、隔热效果好，在确保产品电、热性能的同时，保证了产品的可靠性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装技术，尤其涉及一种高功率封装模块。
技术介绍
汽油机缸内直喷是当前轿车汽油喷射中的前沿技术，多点顺序汽油喷射将各个点火线圈分别安装在各缸的进气歧管中，使各缸混合气的分配较均勻，因此能很好地适应减少排放、降低油耗、提高输出功率及改善驾驶性能等要求。在过去几年间，这种汽油机缸内直喷应用的高功率封装模块(绝缘栅双极晶体IGBT)数量已增加了 4至5倍，市场的趋势已经转变为每个汽缸都有一个IGBT高功率封装模块和线圈。该高功率封装模块要求将控制集成电路和功率IGBT器件封装在一起。普通的封装无法满足其高可靠性、大电流的绝缘、隔热及散热等要求。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是如何实现一种可靠性高、电热性能强的高功率封装模块。为解决上述技术问题，本技术提供一种高功率封装模块，包括引线框架、芯片、金属焊线和塑封体，其特征在于所述引线框架包括载片台和引脚，所述载片台上设有高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件，所述控制芯片和被动元件设于厚膜电路上， 所述金属焊线实现高功率芯片、厚膜电路、控制芯片与引脚间的互联，所述高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件上覆有保护胶。可选地，所述高功率芯片为绝缘栅双极晶体(IGBT)芯片。可选地，所述厚膜电路为陶瓷材质。可选地，所述被动元件为电阻、电容或电感。可选地，所述高功率芯片通过金属焊料焊接于所述载片台上。可选地，所述厚膜电路和控制芯片通过高分子环氧树脂粘结固定。可选地，所述被动元件通过粘结材料固定于所述厚膜电路上。可选地，所述粘结材料为高分子环氧树脂或金属焊料。可选地，所述保护胶为聚酰亚胺胶。与现有技术相比，本技术请求保护的一种高功率封装模块，外露的载片台可以将封装体中的热量快速散出，陶瓷材质的厚膜电路在承载控制芯片和被动元件的同时， 有效地防止了高功率芯片对控制芯片的电、热干扰，起到了很好的绝缘、隔热和保护作用， 在确保产品电、热性能的同时，保证了产品的可靠性。附图说明图1为本技术实施例中一种高功率封装模块的结构示意图。具体实施方式在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施的限制。其次，本技术利用示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本技术保护的范围。以下结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。如图1所示，本技术提供的一种高功率封装模块，包括引线框架、芯片、金属焊线10和塑封体，所述引线框架包括载片台1和引脚2，所述载片台1上设有高功率芯片 4、厚膜电路6、控制芯片7和被动元件8，所述控制芯片7和被动元件8设于厚膜电路6上， 所述金属焊线10实现高功率芯片4、厚膜电路6、控制芯片7与引脚2间的互联，所述高功率芯片4、厚膜电路6、控制芯片7和被动元件8上覆有保护胶11，所述厚膜电路6和控制芯片7通过高分子环氧树脂5粘结固定。所述高功率芯片4可以是绝缘栅双极晶体(IGBT)芯片；高功率芯片4通过金属焊料3焊接于所述载片台1上，可以将热量通过载片台1迅速散到周围环境中，从而保证了产品的高导电、高导热需求。所述厚膜电路6为陶瓷材质，既可以保证大电流的绝缘，又可以保证高功率芯片4 所产生的热量不影响控制芯片7，从而起到很好的隔热和保护作用。所述被动元件8为电阻、电容或电感，通过粘结材料9固定于所述厚膜电路6上， 粘结材料9可以根据工艺需求选择高分子环氧树脂5或金属焊料3 ；被动元件8直接与厚膜电路6上的焊点相连，在选择被动元件8时选择普通的器件即可而不一定选用带有供金属焊线10焊接区域的器件，从而降低了材料成本。所述保护胶11为聚酰亚胺胶，以满足绝缘、隔热和提高可靠性的要求；同时，聚酰亚胺胶的低介电常数、低吸湿性、低内应力、低热膨胀系数、低成形工艺温度、高耐热性、高电绝缘性等特点，覆在高功率芯片4、厚膜电路6、控制芯片7及被动元件8表面使其成为一个整体，同时加强了绝缘、隔热等效果，还可在塑封体封装前还可以保证金属焊线10的弧度，从而确保产品性能和可靠性的提高。虽然本技术已以较佳实施例披露如上，但本技术并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。权利要求1.一种高功率封装模块，包括引线框架、芯片、金属焊线和塑封体，其特征在于所述引线框架包括载片台和引脚，所述载片台上设有高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件，所述控制芯片和被动元件设于厚膜电路上，所述金属焊线实现高功率芯片、厚膜电路、 控制芯片与引脚间的互联，所述高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件上覆有保护胶。2.如权利要求1所述的一种高功率封装模块，其特征在于所述高功率芯片为绝缘栅双极晶体芯片。3.如权利要求1所述的一种高功率封装模块，其特征在于所述厚膜电路为陶瓷材质。4.如权利要求1所述的一种高功率封装模块，其特征在于所述被动元件为电阻、电容或电感。5.如权利要求1所述的一种高功率封装模块，其特征在于所述高功率芯片通过金属焊料焊接于所述载片台上。6.如权利要求1所述的一种高功率封装模块，其特征在于所述厚膜电路和控制芯片通过高分子环氧树脂粘结固定。7.如权利要求1所述的一种高功率封装模块，其特征在于所述被动元件通过粘结材料固定于所述厚膜电路上。8.如权利要求7所述的一种高功率封装模块，其特征在于所述粘结材料为高分子环氧树脂或金属焊料。9.如权利要求1所述的一种高功率封装模块，其特征在于所述保护胶为聚酰亚胺胶。专利摘要本技术涉及一种高功率封装模块，主要包括引线框架、芯片、金属焊线和塑封体，所述引线框架包括载片台和引脚，所述载片台上设有高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件，所述控制芯片和被动元件设于厚膜电路上，所述金属焊线实现高功率芯片、厚膜电路、控制芯片与引脚间的互联，所述高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件上覆有保护胶。与现有技术相比，本技术请求保护的一种高功率封装模块，能够效地防止高功率芯片对控制芯片的电、热干扰，绝缘、隔热效果好，在确保产品电、热性能的同时，保证了产品的可靠性。文档编号H01L25/16GK201994296SQ20112004628公开日2011年9月28日 申请日期2011年2月23日 优先权日2011年2月23日专利技术者尹华, 赵亚俊 申请人:南通富士通微电子股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高功率封装模块，包括引线框架、芯片、金属焊线和塑封体，其特征在于：所述引线框架包括载片台和引脚，所述载片台上设有高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件，所述控制芯片和被动元件设于厚膜电路上，所述金属焊线实现高功率芯片、厚膜电路、控制芯片与引脚间的互联，所述高功率芯片、厚膜电路、控制芯片和被动元件上覆有保护胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵亚俊，尹华，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32