一种高抗静电的LED制造技术

本实用新型专利技术涉及电子元器件，尤其涉及发光二极管。本实用新型专利技术的高抗静电的LED，是由负极引脚、正极引脚和LED芯片构成，其中LED芯片置于一绝缘基台上，并通过细导线分别焊接至上述的负极引脚和正极引脚的顶端的第一焊点和第二焊点上，再通过透光材料层封装成一体的结构。改进的，所述的透光材料层内还设有一齐纳管，并电性并联于上述的第一焊点和第二焊点上。本实用新型专利技术采用如上技术方案，通过在第一焊点和第二焊点之间电性并联于一齐纳管，即在LED芯片两端并联齐纳管，通过齐纳管吸收静电高压的冲击，从而实现保护LED芯片的目的。因此，本实用新型专利技术是一种高抗静电的LED元件。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元器件，尤其涉及发光二极管(Light Emitting Diode ，LED)。
技术介绍
LED(Light-Emitting-Diode)，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。因其发光效率高、使用寿命长、环保、体积小等优势，被大量应用。已有的LED最常见的封装方式是在一基座上固定LED芯片，并通过 2根细导线(一般为金线)焊接至引脚末端的2个焊点上，再用透光的材料封装而成，或者有的为了产生一定颜色还在封装前加入荧光胶等物质。已有的LED器件存在的不足之处在于在安装或者运输过程中，可能受静电影响。 静电的电压一般较高，而LED芯片无法承受高电压冲击，容易损坏LED器件的PN结。
技术实现思路
因此，本技术针对这个不足，提出一种高抗静电的LED器件。本技术所采用的技术方案是一种高抗静电的LED，是由负极引脚、正极引脚和LED芯片、齐纳管构成，其中LED 芯片置于一绝缘基台上，并通过细导线分别焊接至上述的负极引脚和正极引脚的顶端的第一焊点和第二焊点上，再通过透光材料层封装成一体的结构。改进的，所述的透光材料层内还设有一齐纳管，并且电性并联于上述的第一焊点和第二焊点上。进一步的，所述的齐纳管一端固定于负极引脚的顶端的一处，另一端通过细导线焊接至第二焊点上，从而实现电性并联于上述的第一焊点和第二焊点的目的。由于齐纳管一端固定负极引脚上，就可以直接实现齐纳管一端与第一焊点的电性连接，另一端再通过细导线焊接至第二焊点上。可以节约一根细导线即可实现电性并联于上述的第一焊点和第二焊点的目的。进一步的，和已有LED器件相同的，所述的负极引脚的顶端是设有第一焊点和一内凹的圆弧杯体的结构，所述的绝缘基台设置于该内凹的圆弧杯体。因此，适于已有LED器件封装结构的，所述的齐纳管一端固定于负极引脚的内凹的圆弧杯体的边缘，另一端通过细导线焊接至第二焊点上。进一步的，所述的细导线是金丝线。金属单质金的导电性能佳且耐腐蚀性高，因此细导线采用金丝线效果更佳。本技术采用如上技术方案，通过在第一焊点和第二焊点之间电性并联于一齐纳管，即在LED芯片两端并联齐纳管，通过齐纳管吸收静电高压的冲击，从而实现保护LED 芯片的目的。因此，本技术是一种高抗静电的LED器件。附图说明图1是已有的LED结构图。图2是已有的LED的封装步骤一的示意图。图3是已有的LED的封装步骤二的示意图。图4是已有的LED的电气原理图。图5是本技术的LED结构图。图6是本技术的LED的封装步骤一的示意图。图7是本技术的LED的封装步骤二的示意图。图8是本技术的LED的电气原理图。具体实施方式现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。参阅图1、图2和图3所示，已有的LED器件是由负极引脚1、正极引脚2和LED芯片3构成。所述的负极引脚1的顶端是设有第一焊点102和一内凹的圆弧杯体101的结构。 其中LED芯片3置于一绝缘基台6上，所述的绝缘基台6设置于该内凹的圆弧杯体101。LED 芯片3的负极方电极301和正极圆电极302通过细导线4分别焊接至上述的负极引脚1和正极引脚2的顶端的第一焊点102和第二焊点201上，再通过透光材料层5封装成圆柱型灯帽的一体的结构。由于负极引脚1、正极引脚2是金属材料制成，通过细导线4的连接， 可以实现LED芯片3的负极方电极301和正极圆电极302电性连接于LED器件的负极引脚 1、正极引脚2。参阅图4所示，即为已有的LED的电气原理图。参阅图5、图6和图7所示，本技术的LED同样的是由负极引脚1、正极引脚2 和LED芯片3构成。所述的负极引脚1的顶端是设有第一焊点102和一内凹的圆弧杯体101 的结构。其中LED芯片3置于一绝缘基台6上，所述的绝缘基台6设置于该内凹的圆弧杯体101。LED芯片3的负极方电极301和正极圆电极302通过细导线4分别焊接至上述的负极引脚1和正极引脚2的顶端的第一焊点102和第二焊点201上。不同的是，还设有一齐纳管7，并电性并联于上述的第一焊点102和第二焊点201上。所述的齐纳管7 —端固定于负极引脚1的内凹的圆弧杯体101的边缘103，另一端通过细导线4焊接至第二焊点201 上，从而实现电性并联于上述的第一焊点102和第二焊点201的目的。最后，再通过透光材料层5封装成圆柱型灯帽的一体的结构。参阅图8所示，即为本技术的LED的电气原理图。优选的，所述的细导线4是金丝线。金属单质金的导电性能佳且耐腐蚀性高，因此细导线采用金丝线效果更佳。本技术的生产工艺是LED芯片镜检_>LED扩片-> 自动点胶_>LED自动固晶->LED固晶烘烤->LED压焊->LED封胶->LED固化与后固化_>LED切筋->LED测试->LED 包装。经测试，原LED抗静电在1000V以下，本技术在现有工艺上加齐纳管使现有的 LED抗静电可以达到5000V以上。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。权利要求1.一种高抗静电的LED，是由负极引脚(1)、正极引脚(2)和LED芯片(3)构成，其中LED 芯片(3)置于一绝缘基台(6)上，并通过细导线(4)分别焊接至上述的负极引脚(1)和正极引脚(2)的顶端的第一焊点(102)和第二焊点(201)上，再通过透光材料层(5)封装成一体的结构，其特征在于所述的透光材料层(5)内还设有一齐纳管(7)，并电性并联于上述的第一焊点(102)和第二焊点(201)上。2.根据权利要求1所述的高抗静电的LED，其特征在于所述的齐纳管(7)—端固定于负极引脚(1)的顶端的一处，另一端通过细导线(4)焊接至第二焊点(201)上，从而实现电性并联于上述的第一焊点(102)和第二焊点(201)的目的。3.根据权利要求1所述的高抗静电的LED，其特征在于所述的负极引脚(1)的顶端是设有第一焊点(102)和一内凹的圆弧杯体(101)的结构，所述的绝缘基台(6)设置于该内凹的圆弧杯体(101)。4.根据权利要求2或3所述的高抗静电的LED，其特征在于所述的齐纳管(7)—端固定于负极引脚(1)的内凹的圆弧杯体(101)的边缘，另一端通过细导线(4)焊接至第二焊点 (201)上。5.根据权利要求1或2所述的高抗静电的LED，其特征在于所述的细导线(4)是金丝线。6.根据权利要求4所述的高抗静电的LED，其特征在于所述的细导线(4)是金丝线。专利摘要本技术涉及电子元器件，尤其涉及发光二极管。本技术的高抗静电的LED，是由负极引脚、正极引脚和LED芯片构成，其中LED芯片置于一绝缘基台上，并通过细导线分别焊接至上述的负极引脚和正极引脚的顶端的第一焊点和第二焊点上，再通过透光材料层封装成一体的结构。改进的，所述的透光材料层内还设有一齐纳管，并电性并联于上述的第一焊点和第二焊点上。本技术采用如上技术方案，通过在第一焊点和第二焊点之间电性并联于一齐纳管，即在LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高抗静电的ＬＥＤ，是由负极引脚（１）、正极引脚（２）和ＬＥＤ芯片（３）构成，其中ＬＥＤ芯片（３）置于一绝缘基台（６）上，并通过细导线（４）分别焊接至上述的负极引脚（１）和正极引脚（２）的顶端的第一焊点（１０２）和第二焊点（２０１）上，再通过透光材料层（５）封装成一体的结构，其特征在于：所述的透光材料层（５）内还设有一齐纳管（７），并电性并联于上述的第一焊点（１０２）和第二焊点（２０１）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林新忠，
申请(专利权)人：厦门厦荣达电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：92