单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜制造技术

一种单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，在太阳能电池单晶硅片（3）的前表面，从内至外依次设有TiO2薄膜（2）和氮化硅薄膜（1）；TiO2薄膜（2）的厚度为30～40nm；氮化硅薄膜（1）的厚度为40～50nm。本实用新型专利技术所用的TiO2薄膜折射率为2.3，氮化硅薄膜的折射率为1.4～1.7，这种叠层膜与单层膜相比具有更好的光学匹配特性，不仅对在硅的主光谱响应的550nm的光有优异的减反射效果，而且对波长在350～1100nm范围内的光都有很好的件反射效果，从而提高单晶硅太阳能电池的转换效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种太阳能电池的减反射膜结构，尤其是叠层减反射膜结构，具体地说是一种单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜。
技术介绍
太阳能电池是把太阳能光能转换成电能的装置，太阳能电池片的转换效率一般定义为电池片的输出功率与入射到电池片表面的太阳光总功率之比。太阳光照射到电池片表面是会发生反射和折射，为提高电池片的转换效率，则要尽量减少反射损失。减少反射目前有两种方法，一是将电池片的表面制成绒面，另一种则是在电池片表面镀上减反射膜，随着太阳能技术的发展，出现了多种件反射膜，有单层的、双层的，也有多层的。减反射膜性能的优劣取决于膜层材料本身的性质以及与硅片的光学匹配性，一般认为各层材料的折射率应满足na < H1 < n2〈…< η, < M其中na为空气的折射率，nSi为硅的折射率，叫H2-Hi分别为各膜层材料的折射率)。目前常用的的膜层材料有Si02、SiNx, A1203、TiO2, MgF等，单一的各层材料难以获得理想的减反射效果，现有的多层膜只是对波长在550nm左右光有较好的减反射效果，而对其它波长的太阳光的减反射效果有限。
技术实现思路
本技术的目的是针对目前单一层的减反射膜难以获得理想的减反射效果，多层膜只是对波长在^Onm左右光有较好的减反射效果，而对其它波长的太阳光的减反射效果有限的问题，提出一种单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，是一种质量高、性能优良的反射膜结构。本技术的技术方案是一种单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，在太阳能电池单晶硅基体的前表面，从内至外依次设有T^2薄膜和氮化硅薄膜。本技术的TiA薄膜的厚度为3(T40nm。本技术的氮化硅薄膜的厚度为4(T50nm。本技术的有益效果本技术所用的TW2薄膜折射率为2. 3，氮化硅薄膜的折射率为1. Π. 7，这种叠层膜与单层膜相比具有更好的光学匹配特性，不仅对在硅的主光谱响应的550nm的光有优异的减反射效果，而且对波长在35(Tll00nm范围内的光都有很好的件反射效果，从而提高单晶硅太阳能电池的转换效率，采用本结构后，我公司工业化生产的单晶硅太阳能电池的转换效率已超过18. 5%，为当前世界最高水平。附图说明图1是本技术的结构示意图。1、氮化硅薄膜；2、TiA薄膜；3、单晶硅基体。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术作进一步的说明。如图1所示，一种单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，在太阳能电池单晶硅基体3 的前表面，从内至外依次设有TiA薄膜2和氮化硅薄膜1。本技术的TiA薄膜2的厚度为3(T40nm ；氮化硅薄膜1的厚度为4(T50nm。本技术所用的TW2薄膜折射率为2. 3，氮化硅薄膜的折射率为1. Π. 7，这种叠层膜与单层膜相比具有更好的光学匹配特性，不仅对在硅的主光谱响应的550nm的光有优异的减反射效果，而且对波长在35(Tll00nm范围内的光都有很好的件反射效果，从而提高单晶硅太阳能电池的转换效率，采用本结构后，我公司工业化生产的单晶硅太阳能电池的转换效率已超过18. 5%，为当前世界最高水平。本技术未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。权利要求1.一种单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，其特征是在太阳能电池单晶硅基体(3)的前表面，从内至外依次设有TiO2薄膜(2)和氮化硅薄膜(1)。2.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，其特征是所述的T^2薄膜(2)的厚度为3(T40nm。3.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，其特征是所述的氮化硅薄膜(1)的厚度为4(T50nm。专利摘要一种单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，在太阳能电池单晶硅片(3)的前表面，从内至外依次设有TiO2薄膜(2)和氮化硅薄膜(1)；TiO2薄膜(2)的厚度为30～40nm；氮化硅薄膜(1)的厚度为40～50nm。本技术所用的TiO2薄膜折射率为2.3，氮化硅薄膜的折射率为1.4～1.7，这种叠层膜与单层膜相比具有更好的光学匹配特性，不仅对在硅的主光谱响应的550nm的光有优异的减反射效果，而且对波长在350～1100nm范围内的光都有很好的件反射效果，从而提高单晶硅太阳能电池的转换效率。文档编号H01L31/04GK202004002SQ20112002443公开日2011年10月5日 申请日期2011年1月25日 优先权日2011年1月25日专利技术者全余生, 程鹏飞, 黄仑, 龚双龙 申请人:东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，其特征是在太阳能电池单晶硅基体（３）的前表面，从内至外依次设有ＴｉＯ２薄膜（２）和氮化硅薄膜（１）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程鹏飞，黄仑，龚双龙，全余生，
申请(专利权)人：东方电气集团宜兴迈吉太阳能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32