晶体硅太阳能电池减反射钝化膜制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，包括在硅片表面依次沉积形成的Si3N4薄膜、TiO2薄膜和SiO2薄膜。通过使用本实用新型专利技术提供的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，能有效扩大对光的吸收范围，同时有效降低太阳能电池对光的反射，提高对光的吸收率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种晶体硅太阳能电池减反射钝化膜。
技术介绍
太阳能电池是一种通过光伏效应将太阳能转化为电能的半导体器件，其作为一种新能源材料越来越受到人们的关注。目前，如何降低太阳光的反射从而增加太阳光的吸收为太阳能电池制造过程中亟待解决的重要问题之一。现有技术中，制造太阳能电池主要包括制绒、扩散、去PSG、减反射膜制备、印刷电极、合金等步骤。为了减少太阳光的反射，通常会在扩散去PSG步骤后在硅片表面沉积减反射膜。传统的减反射膜只具有一层Si3N4膜，由于太阳光的光谱范围较宽，因此传统的减反射膜存在对光的吸收范围窄、减反射效果差等缺点。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，能有效扩大对光的吸收范围，同时有效降低太阳能电池对光的反射，提高对光的吸收率。为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案本技术提供一种晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，所述晶体硅太阳能电池减反射钝化膜包括在硅片表面依次沉积形成的Si3N4薄膜、TiO2薄膜和S^2薄膜。优选的，所述Si3N4薄膜的厚度为5 50nm。优选的，所述TW2薄膜厚度为20 80nm。优选的，所述SW2薄膜的厚度为10 lOOnm。本技术的有益效果如下通过使用本技术提供的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，由于其包括Si3N4 薄膜、T^2薄膜和SiA薄膜，从而扩大了晶体硅太阳能电池对太阳光的吸收范围，降低了光反射效果；另外，由于这三种薄膜由硅表面向外是按照折射率依次降低的顺序排列的，从而提高了减反射钝化膜的钝化作用，有效降低了光反射作用。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中图1是本技术提供的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜的部面示意图。其中1-硅片；2-Si3N4薄膜；3-Ti02 薄膜；4_Si02 薄膜。具体实施方式以下结合附图对本技术提供的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜进行说明。如图1所示，本技术提供的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜包括在硅片表面依次沉积形成的Si3N4薄膜、TiO2薄膜和SiO2薄膜。其中，Si3N4薄膜的厚度为5 50nm， 折射率为2 3 ； TiO2薄膜厚度为20 80nm，折射率为1. 5 2. 5 ； SiO2薄膜的厚度为 10 lOOnm，折射率为1 2。下面介绍本技术提供的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜的制备方法，包括以下三个步骤步骤1 在经过制绒、扩散去PSG后的硅片表面，采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition)法沉积 Si3N4 薄膜。具体的，以 SiH4和NH3为反应气体，控制SiH4和NH3的体积比例在1 1. 2 1 1. 8范围内，硅片温度为 300 500°C，制备得到厚度为5 50nm，折射率为2 3的Si3N4薄膜。步骤2 在步骤1制得的Si3N4薄膜表面，利用PECVD法沉积TW2薄膜。具体的，以 Ti (OC3H7)4为源物质，A为反应气体，控制SiH4和NH3的体积比例在1 :1. 2 1 :1. 8范围内，硅片温度为400 800°C，制备得到厚度为20 80nm，折射率为1. 5 2. 5的TW2薄膜。步骤3 在步骤2制得的Si3N4薄膜表面，利用PECVD法沉积SiO2薄膜。具体的， 以SiH4和N2O为反应气体，控制SiH4和N2O的体积比例在1 :1 1 :2范围内，硅片温度为 200 600°C，制备得到厚度为10 lOOnm，折射率为1 2的SW2薄膜。综上所述，由于本技术提供的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜包含三种薄膜，即=Si3N4薄膜、TiA薄膜和SiA薄膜，从而扩大了晶体硅太阳能电池对太阳光的吸收范围，降低了光反射效果；另外，由于这三种薄膜由硅表面向外是按照折射率依次降低的顺序排列的，从而很好的解决了各薄膜之间的光学特性差异较大的问题，使得整个减反射钝化膜的折射率变化趋于均勻，进而提高了减反射钝化膜的钝化作用，有效降低了光反射作用。最后应说明的是以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，其特征在于所述晶体硅太阳能电池减反射钝化膜包括在硅片表面依次沉积形成的Si3N4薄膜、TiO2薄膜和SiA薄膜。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，其特征在于所述Si3N4 薄膜的厚度为5 50nm。3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，其特征在于所述打02薄膜厚度为20 80nm。4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，其特征在于所述S^2薄膜的厚度为10 lOOnm。专利摘要本技术提供一种晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，包括在硅片表面依次沉积形成的Si3N4薄膜、TiO2薄膜和SiO2薄膜。通过使用本技术提供的晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，能有效扩大对光的吸收范围，同时有效降低太阳能电池对光的反射，提高对光的吸收率。文档编号H01L31/0216GK201956359SQ20112008927公开日2011年8月31日 申请日期2011年3月30日 优先权日2011年3月30日专利技术者徐世贵, 李潘剑, 王立建 申请人:无锡市佳诚太阳能科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶体硅太阳能电池减反射钝化膜，其特征在于：所述晶体硅太阳能电池减反射钝化膜包括在硅片表面依次沉积形成的Ｓｉ３Ｎ４薄膜、ＴｉＯ２薄膜和ＳｉＯ２薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐世贵，王立建，李潘剑，
申请(专利权)人：无锡市佳诚太阳能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32