用于防静电保护的栅极接地的NMOS单元及其防静电保护结构制造技术

本发明专利技术提供一种用于防静电保护的GGNMOS单元，具有正多边形状，其漏极被环状栅极封闭，环状栅极又被与其同心的正多边形状的源极包围，源极外侧设置有与之距离处处相等的同心的正多边形环状的衬底接地区域，两者之间被场氧区域均匀间隔开。相应地，本发明专利技术还提供一种基于GGNMOS单元的防静电保护结构。本发明专利技术通过改变GGNMOS单元的平面布局结构，使用了环状栅极封闭漏极，源极由同心的衬底接地区域围绕的方法使寄生三极管基极串联电阻处处相等。本发明专利技术的防静电保护结构可在静电发生时，实现各个ESD保护器件单元同时均匀开启，从而可以达到HBM?8kV以上的高ESD保护能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，具体来说，本专利技术涉及一种用于防静电保护的 GGNMOS单元以及一种基于该GGNMOS单元的防静电保护结构。
技术介绍
在半导体芯片中，最流行的静电放电(Electro-Static Discharge,ESD)保护结构通常是一种栅极接地的GGNM0S(feite Ground NM0S，栅极接地的NM0S)结构。在ESD发生时，ESD保护器件GGNMOS的寄生三极管会被触发的导通，产生击穿(Snaphck)现象，达到泄流的效果。而源极(寄生三极管的发射极)与接地的衬底(寄生三极管的基极)之间的寄生串联电阻是触发该寄生三极管导通的关键，但是在现有技术中常见的GGNMOS叉指结构的防静电保护结构中，如图1所示，位于叉指结构中心部位的GGNMOS由于在长、宽两个方向上都距离接地线最远，因而它的基极寄生串联电阻也最大，因而最容易先触发寄生三极管开启泄流。而此时位于两边的MOS管一般尚未开启，则这种不均勻导通就会造成电流集中在中心位置的沟道区域，因而通常这一块区域也最容易被最先烧毁。另外，当前高ESD的防护能力(例如8KV)会要求GGNMOS具有足够大的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于防静电保护的ＧＧＮＭＯＳ单元，具有正多边形状，其漏极被环状栅极封闭，所述环状栅极又被与其同心的正多边形状的源极包围，所述源极外侧设置有与之距离处处相等的同心的正多边形环状的衬底接地区域，两者之间被场氧区域均匀间隔开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕宇强，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31