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本发明提供一种用于防静电保护的GGNMOS单元，具有正多边形状，其漏极被环状栅极封闭，环状栅极又被与其同心的正多边形状的源极包围，源极外侧设置有与之距离处处相等的同心的正多边形环状的衬底接地区域，两者之间被场氧区域均匀间隔开。相应地，本发明...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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