铝对通隔离可控硅芯片制造技术

技术编号:6604737 阅读:303 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种铝对通隔离可控硅芯片,包括硅片、在硅片表面设有氧化层,其特殊之处是:在硅片内设有铝P型隔离墙,在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。优点是:由于硅片表面设有硅铝合金层,可以提高表面杂质浓度,大大缩短硅片的高温处理过程,减少了热处理引入的旋涡缺陷,优化器件电压及反向漏电流等参数。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种铝对通隔离可控硅芯片
技术介绍
现有的硼对通隔离可控硅芯片是由硅片、氧化层、硼P型隔离墙构成。由于硼P型隔离墙表面没有合金层,需要长时间高温处理,长期的高温热处理会引入旋涡缺陷,严重影响器件参数。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种可大大缩短高温高温处理时间、减少旋涡缺陷的铝对通隔离可控硅芯片。本技术涉及的铝对通隔离可控硅芯片,包括硅片、在硅片表面设有氧化层,其特殊之处是在硅片内设有铝P型隔离墙,在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。本技术的优点是由于硅片表面设有硅铝合金层,可以提高表面杂质浓度,大大缩短硅片的高温处理过程,减少了热处理引入的旋涡缺陷,优化器件电压及反向漏电流等参数。附图说明图1是本技术的结构示意图;图2是图1的俯视图;图中硅片1、铝P型隔离墙2、氧化层3。具体实施方式如图所示,本技术包括硅片1,在硅片1表面设有氧化层3,在硅片1内设有铝 P型隔离墙2,在硅片1表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。权利要求1. 一种铝对通隔离可控硅芯片,包括硅片,在硅片表面设有氧化层,其特征是在硅片内设有铝P型隔离墙,在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铝对通隔离可控硅芯片,包括硅片,在硅片表面设有氧化层,其特征是:在硅片内设有铝P型隔离墙,在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵秀丽苏舟娄达高广亮徐敏丽刘鑫
申请(专利权)人:锦州辽晶电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:21

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