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本实用新型公开了一种铝对通隔离可控硅芯片，包括硅片、在硅片表面设有氧化层，其特殊之处是:在硅片内设有铝P型隔离墙，在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。优点是：由于硅片表面设有硅铝合金层，可以提高表面杂质浓度，大大缩短硅片的高温处理过...
该专利属于锦州辽晶电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过锦州辽晶电子科技有限公司授权不得商用。

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