【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种废水的处理工艺和系统,尤其涉及一种在半导体工业制造中产生的减薄 划片废水的回用工艺和系统。
技术介绍
半导体工业制造过程中需要大量高水质纯水,水的电阻率一般需大于10MQ *Cm,所产 生的废水大致可区分为蚀刻废水、光刻废水、滤管清洗废水、反渗透废水、离子交换树脂废 水及化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing, CMP)废水等等。电子封装是集成电 路芯片生产完成后不可缺少的一道工序,是器件到系统的桥梁。其中CMP过程中减薄划片废 水因含有大量的纳米级微粒,在处理上较复杂,是目前半导体产业废水处理最常遭遇的难题 。此类废水主要产生的途径,在于电子封装工艺中晶圆减薄划片阶段,需采用大量的超纯水 来洗净晶圆表面上所残留的悬浮微颗粒或金属离子污染物,纯水用量如作为漂洗水可达总工 序用水量的15-20%左右,用水量大。车间排放废水中含有大量的不易沉降的极细微纳米级单 晶硅体胶体和少量粗硅外无其他杂质,C0D<5mg/L、含盐量极低,电导〈100y s/cm,相比 于地下水或自来水的导电度约250y s/cm为低,水 ...
【技术保护点】
一种减薄划片废水的回用工艺,其特征在于:首先将减薄划片废水经过过滤器,截留废水中的粗硅;然后将过滤后的水经过第一级超滤装置,产水作为深度脱盐装置进行脱盐后供生产用水,浓水进入浓缩液水箱,经过了深度脱盐后的废水排出到废水池内。
【技术特征摘要】
1.一种减薄划片废水的回用工艺,其特征在于首先将减薄划片废水经过过滤器,截留废水中的粗硅;然后将过滤后的水经过第一级超滤装置,产水作为深度脱盐装置进行脱盐后供生产用水,浓水进入浓缩液水箱,经过了深度脱盐后的废水排出到废水池内。2.根据权利要求l所述的一种减薄划片废水的回用工艺,其特征在于 :经过第一级超滤装置处理后的浓水作为第二级超滤装置的进水,经过了第二级超滤装置的 产水与第一级超滤装置的产水混合作为深度脱盐装置的进水,经过第二级超滤装置的浓水则 回流至硅粉浓縮液水箱,循环浓縮。3.根据权利要求2所述的一种减薄划片废水的回用工艺,其特征在于 :经过第一级超滤装置和第二级超滤装置的浓縮液内包含有含量大于3g/L的硅粉浓縮液,所 述的硅粉浓縮液可以经过烘干回收硅粉。4.根据权利要求2所述的一种减薄划片废水的回用工艺,其特征在于 :第一级超滤装置和第二级超滤装置均采用中空纤维膜构成;第一级的超滤装置的中空纤维 膜组件采用错流过滤、频繁反洗的全自动连续运行方式;第二级超滤装置内的中空纤维组件 采用全回流过滤的运行方式。5.根据权利要求4所述的一种减薄划片废水的回用工艺,其特征在 于所述的中空纤维超滤膜的材料为聚砜、聚醚砜、聚偏氟乙烯和聚丙烯氰,中空纤维超滤 膜的平均截留分...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈海军,
申请(专利权)人:浙江东洋环境工程有限公司,
类型:发明
国别省市:33[]
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