【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种加热器底盘，特别是一种单晶炉加热器底盘。
技术介绍
在半导体生产中硅单晶是最重要的基本材料。其拉晶过程是把原料多硅晶块放入石英 坩埚中，在单晶炉中加热融化，再将一根棒状晶种浸入融液中，融液中的硅原子会顺着晶种 的硅原子排列，在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。把晶种向上提升，融液中的 硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境 稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即 硅单晶锭。现有单晶炉中加热融化装置是依靠两个电极导电，使原料多硅晶块融化的，目前由于两个电极距离较大， 一般在680mm左右，功耗较大。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种单晶炉加热器底盘，以降低单晶炉的能耗。 本技术的技术方案 一种单晶炉加热器底盘，其特征在于它包括底盘；底盘上设 有两个电极孔，两个电极孔的间距为450 470mm。上述的单晶炉加热器底盘中，所述的两个电极孔的间距为460mm。与现有技术相比，现有的单晶炉加热器底盘上的两个电极孔距离较远， 一般为680mm左 右，功耗较大。本技术将两个电极孔的距离縮小为460mm左右，可有效降低单晶炉的能 耗。在保证生产的情况下，改进后耗费功率可以降低大约10个千瓦。附图说明图l是本技术的结构示意图。 附图中的标记为l-底盘，2-电极孔具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术的单晶炉加热器底盘作进一步的详细说明，但并不 作为对本技术做任何限制的依据。本技术如图l所示。本技术是对现有单晶炉加热器底盘的改进，现有单晶炉加 热器底盘上的在两个电极...
【技术保护点】
一种单晶炉加热器底盘，其特征在于：它包括底盘（１）；底盘（１）上设有两个电极孔（２），两个电极孔（２）的间距为４５０～４７０ｍｍ。
【技术特征摘要】
权利要求1一种单晶炉加热器底盘，其特征在于它包括底盘(1)；底盘(1)上设有两个电极孔(2)，两个电极孔(2)的间...
【专利技术属性】
技术研发人员：何紫平，胥敬东，丁宇翔，
申请(专利权)人：湖州新元泰微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]
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