【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种供气装置,特别是一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置。
技术介绍
在直拉单晶生长过程中,由于单晶炉体内在加热融化原料多硅晶块的过程中会产生一些 硅氧化物和杂质的挥发物。这些硅氧化物和杂质的挥发物对硅单晶的生长会生产不利因素, 因此需要使用保护性气体流由上至下贯穿单晶生长的区域,及时地带走硅氧化物和杂质的挥 发物,氩气是常用的保护性气体。现有的供气装置是供气管道通过气阀开关后分为两路后,分别与带流量计的流量调节阀 甲和带流量计的流量调节阀乙连接,带流量计的流量调节阀甲出口和带流量计的流量调节阀 乙出口分别为单晶炉供气。在使用过程中发现,带流量计的流量调节阀甲和带流量计的流量 调节阀乙密封性不太好,有时会出现氩气管路的泄露现象,由于拉晶时是负压,因此外界空 气会被吸入管路造成炉内硅料等的氧化。
技术实现思路
本技术的目的在于,提供一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置,解决氩气 管路的泄露现象,避免氧气进入氩气管路造成拉晶过程中的氧化。本技术的技术方案 一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置,它包括气阀开 关,气阀开关的入口与供气管道连接;气阀开关的出口分为两路,分别连接流量调节阀甲和 流量调节阀乙的进口;流量调节阀甲的出口经流量计甲与单晶炉连接;流量调节阀乙的出口 经流量计乙与单晶炉连接。上述的防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置中,所述的流量调节阀甲和流量调节阀 乙均为薄膜阀。与现有技术相比,本技术将现有技术中使用的带流量计的流量调节阀分别用技术比 较成熟的薄膜流量调节阀和流量计替代后,产生了有益的效果,有效的防止了氩气管路的泄 漏,避免 ...
【技术保护点】
一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置,它包括气阀开关(1),气阀开关(1)的入口与供气管道连接;其特征在于:气阀开关(1)的出口分为两路,分别连接流量调节阀甲(2)和流量调节阀乙(3)的进口;流量调节阀甲(2)的出口经流量计甲(4)与单晶炉连接;流量调节阀乙(3)的出口经流量计乙(5)与单晶炉连接。
【技术特征摘要】
权利要求1一种防止单晶炉保护气体管路泄漏的供气装置,它包括气阀开关(1),气阀开关(1)的入口与供气管道连接;其特征在于气阀开关(1)的出口分为两路,分别连接流量调节阀甲(2)和流量调节阀乙(3)的进口;流量调节阀甲(2...
【专利技术属性】
技术研发人员:何紫平,胥敬东,丁宇翔,
申请(专利权)人:湖州新元泰微电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:33[中国|浙江]
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