FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，阵列基板 结构包括基板，形成在基板上的公共电极、栅线和栅电极，形成在基板上的 栅绝缘层，形成在栅绝缘层上并位于栅电极之上的有源层，形成在基板上的 数据线、源电极和漏电极，钝化层形成在基板上，在像素区域形成有条状并 依次排列的钝化层沟槽，在漏电极位置形成有钝化层过孔，像素电极形成在 钝化层上并位于钝化层沟槽内，通过钝化层过孔与漏电极连接。本发明专利技术最大 限度地消除了像素区域内的像素电极的台阶端差，平整的像素电极表面使后 续取向膜摩擦取向处理能获得均匀的取向角度，一方面提高了画面品质，另 一方面大大提高了像素电极设计的自由度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种FFS 型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法。
技术介绍
近年来，随着数字化电视的普及，传统CRT显示器逐渐被新一代显示装 置替代，新一代显示装置包括PDP、 OLED、 LCD等，其中薄膜晶体管液晶显示 器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,筒称TFT-LCD)具有 体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等特点，已开始大量普及并成为主 流产品。边缘场开关技术(Fringe Field Switching,简称FFS)是最近几年 出现的可以改善LCD画质的技术之一 ，能同时实现高穿透性与大视角等要求。 所谓的FFS技术是通过边缘电场使面内几乎均质排列的液晶分子的电极表层 内部旋转，进而产生高穿透性效应。图19为现有技术FFS型TFT-LCD阵列基板结构的平面图，图20为图19 中G-G向剖面图。如图19、图20所示，现有技术FFS型TFT-LCD阵列基板 结构包括基板20,形成在基板20上的公共电极11、栅线1和栅电极2，形 成在基板20上的栅绝缘层3，形成在栅电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＦＦＳ型ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板结构，其特征在于，包括：　基板；　公共电极、栅线和栅电极，分别形成在所述基板上；　栅绝缘层，形成在所述基板上并覆盖所述公共电极、栅线和栅电极；　有源层，形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极之上；　数据线、源电极和漏电极，形成在所述基板上；　钝化层，形成在所述基板上，在像素区域形成有条状并依次排列的钝化层沟槽，在所述漏电极位置形成有钝化层过孔；　像素电极，形成在所述钝化层上并位于所述钝化层沟槽内，通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括基板；公共电极、栅线和栅电极，分别形成在所述基板上；栅绝缘层，形成在所述基板上并覆盖所述公共电极、栅线和栅电极；有源层，形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极之上；数据线、源电极和漏电极，形成在所述基板上；钝化层，形成在所述基板上，在像素区域形成有条状并依次排列的钝化层沟槽，在所述漏电极位置形成有钝化层过孔；像素电极，形成在所述钝化层上并位于所述钝化层沟槽内，通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。2. 根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于， 所述钝化层沟槽的深度为100A 6000A。3. 根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于， 所述像素电极的厚度为100A 4000A。4. 一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括 步骤l、在基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成公共电极图形； 步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅线和4册电才及图形；步骤3、在完成步骤2的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半 导体层，通过构图工艺，在所述栅电极上形成有源层硅岛图形；步骤4、在完成步骤3的基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成 数据线、源电极和漏电极图形，同时刻蚀掉暴露的掺杂半导体层，形成TFT 沟道；步骤5、在完成步骤4的基板上沉积钝化层，通过灰色调或半色调掩模 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈旭，闵泰烨，林承武，谢振宇，
申请(专利权)人：陈旭，闵泰烨，林承武，谢振宇，
类型：发明
国别省市：11