【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电源逆变转换中的功率模块,具体涉及其中一体化的IGBT模块。
技术介绍
在风力发电、变频器、光伏发电等领域,常常会用到大功率的绝缘栅双极性晶体管 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),其具有 GTR 和 MOSFET 的两种优点即驱动功率小以及饱和压降低,因而被广泛用。由于IGBT模块常常工作在频繁的开关状态,一般开关频率都在IKhz以上,会产生较大的热量,因此散热问题比较突出,而且由于其内部的支撑电容(电解电容或薄膜电容)所产生的热量,由于在系统内部无法及时发散而影响支撑电容的性能,进而影响功率器件的特性。因此,妥善解决IGBT模块的散热是十分必要的。
技术实现思路
为了克服上述现有IGBT模块的散热方面技术缺陷,本技术提供一种整体化的方便维护组装的大功率变流器IGBT模块,不仅可以尽量减少杂散电感,而且可解决IGBT 功率模块的散热问题。本技术所提供的大功率变流器IGBT模块,包括底座、直流侧支撑电容、IGBT 功率模块、散热片、直流侧母线正极铜排、直流侧母线负极铜排以及交流侧输出铜排,所述直流侧支撑电容的正负极分别连接直流侧母线正极铜排和直流侧母线负极铜排,所述IGBT 功率模块的直流端分别连接直流侧母线正极铜排和直流侧母线负极铜排,所述IGBT功率模块的交流端连接交流侧输出铜排,所述直流侧母线正极铜排、直流侧母线负极铜排以及交流侧输出铜排分别安装在底座的表面上,底座的相对两侧面贯通形成散热风道,所述直流侧支撑电容和散热片分别安装在散热风道的两侧,所述IGBT功率模块与散热片相接触, 所述散热片的延 ...
【技术保护点】
1.一种大功率变流器IGBT模块,包括底座(1)、直流侧支撑电容(2)、IGBT功率模块(7)、散热片(10)、直流侧母线正极铜排(4)、直流侧母线负极铜排(5)以及交流侧输出铜排(9),所述直流侧支撑电容(2)的正负极分别连接直流侧母线正极铜排(4)和直流侧母线负极铜排(5),所述IGBT功率模块(7)的直流端分别连接直流侧母线正极铜排(4)和直流侧母线负极铜排(5),所述IGBT功率模块(7)的交流端连接交流侧输出铜排(9),所述直流侧母线正极铜排(4)、直流侧母线负极铜排(5)以及交流侧输出铜排(9)分别安装在底座(1)的表面上,其特征在于:所述底座(1)的相对两侧面贯通形成散热风道(11),所述直流侧支撑电容(2)和散热片(10)分别安装在散热风道(11)的两侧,所述IGBT功率模块(7)与散热片(10)相接触,所述散热片(10)的延伸方向与散热风道(11)的方向相同。
【技术特征摘要】
1.一种大功率变流器IGBT模块,包括底座(1)、直流侧支撑电容(2)、IGBT功率模块 (7)、散热片(10)、直流侧母线正极铜排(4)、直流侧母线负极铜排(5)以及交流侧输出铜排 (9),所述直流侧支撑电容(2)的正负极分别连接直流侧母线正极铜排(4)和直流侧母线负极铜排(5),所述IGBT功率模块(7)的直流端分别连接直流侧母线正极铜排(4)和直流侧母线负极铜排(5),所述IGBT功率模块(7)的交流端连接交流侧输出铜排(9),所述直流侧母线正极铜排(4)、直流侧母线负极铜...
【专利技术属性】
技术研发人员:姜碧光,矫财东,谢贤定,
申请(专利权)人:浙江埃菲生能源科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:33
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