【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基于逆变器的散热结构,以改进逆变器的散热功能。
技术介绍
目前,大部分的逆变器都采用散热器直接散热,基本上是对于IGBT的发热进行传输散热,但是有时候散热功能不佳或不能及时的散热导致整个系统的性能达不到最佳, IGBT也因为达到了某个温度而起了保护,致使功率不能始终维持在额定功率,减小了资源的利用率。绝缘栅双极型晶体管[IGBTansulatedGate Bipolar Transistor)]是由 BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
技术实现思路
本技术需要解决的问题是为了弥补散热器散热不均和散热不足的问题,提供了一种基于逆变器的散热结构。本技术的目的通过下述方案实现基于逆变器箱体的散热结构,包括原逆变器结构和逆变器箱体,特点是在箱体上设有通风孔,所述的通风孔至少二个,分设在箱体相对面上,利于散热,弥补了散热器散热不均和散热不足的问题。在上述方案基础上,所述的通风孔由带有吸水功能的薄膜或网进行包裹,在孔的上半部设有防水罩,所述的带有吸水功能的薄膜或网具有很好的透气性并有防潮的作用。在上述方案基础上,所述的防水罩为半圆形的球面罩或向下倾斜的管子。通风孔 ...
【技术保护点】
1.一种基于逆变器箱体的散热结构,包括原逆变器结构和逆变器箱体,其特征在于:在箱体上设有通风孔,所述的通风孔至少二个,分设在箱体相对面上。
【技术特征摘要】
1.一种基于逆变器箱体的散热结构,包括原逆变器结构和逆变器箱体,其特征在于 在箱体上设有通风孔,所述的通风孔至少二个,分设在箱体相对面上。2.根据权利要求1所述的基于逆变器箱体的散热结构,...
【专利技术属性】
技术研发人员:王一鸣,
申请(专利权)人:宁波锦浪新能源科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:97
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。