塑封型功率模块制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率模块
，尤其涉及一种塑封型功率模块。
技术介绍
在电力电子领域，半导体器件的发展始终沿着大容量、高频率、和智能化的方向发展。自20世纪80年代IGBT(Insulated-GateBipolarTransistor，绝缘栅晶体管)问世以来，传统硅工艺的长足进步已使得硅器件在很多方面的性能都逼近了理论的极限，继续通过器件原理的创新、结构的改善和制造工艺的进步来提高电力电子器件的总体性能已经没有太大的发展空间。要寻求更大的突破，只能从器件的材料本身来寻找出路。在此背景下，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新型宽禁带功率半导体器件的研究得到了电力半导体器件领域的广泛关注，相应的成熟器件也在近10年内不断推入市场，鉴于其所具备的高温稳定性和更好的高频特性等优势获得了广泛应用。由于新型宽禁带功率半导体器件可以将整机系统推到更高的频率，这就意味着有必要通过材料、工艺等手段对设有新型宽禁带半导体器件的功率模块封装进行优化，以使得功率模块内的回路寄生参数较小。在功率模块封装领域，由于功率半导体的电极焊盘(pad)数量有限，且在中低频(几十千赫兹...
【技术保护点】
一种塑封型功率模块，包括：引线框，所述引线框包括第一台阶和第二台阶；第一平面型功率器件，所述第一平面型功率器件包括具有电极的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述电极分别对应粘接到所述第一台阶；第二平面型功率器件，所述第二平面型功率器件包括具有电极的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述电极分别对应粘接到所述第二台阶；其中，所述第一平面型功率器件的所述第一表面与所述第二平面型功率器件的所述第一表面互相面对，并且在垂直方向上的投影面积至少部分重叠，且所述第一平面型功率器件至少有一个所述电极与所述第二平面型功率器件的所述电极电性连接。
【技术特征摘要】
1.一种塑封型功率模块，包括：引线框，所述引线框包括第一台阶和第二台阶；第一平面型功率器件，所述第一平面型功率器件包括具有电极的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述电极分别对应粘接到所述第一台阶；第二平面型功率器件，所述第二平面型功率器件包括具有电极的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述电极分别对应粘接到所述第二台阶；其中，所述第一平面型功率器件的所述第一表面与所述第二平面型功率器件的所述第一表面互相面对，并且在垂直方向上的投影面积至少部分重叠，且所述第一平面型功率器件至少有一个所述电极与所述第二平面型功率器件的所述电极电性连接。2.如权利要求1所述的塑封型功率模块，其中，所述第一台阶和所述第二台阶分别于所述引线框上形成多个引脚。3.如权利要求2所述的塑封型功率模块，其中，所述塑封型功率模块还包括电容，所述电容电性粘接到所述多个引脚其中两者之间。4.如权利要求2所述的塑封型功率模块，其中，所述塑封型功率模块还包括塑封料，所述塑封料包覆所述第一平面型功率器件、所述第二平面型功率器件以及所述多个引脚的部分。5.如权利要求3所述的塑封型功率模块，其中，所述塑封型功率模块还包括塑封料，所述塑封料包覆所述电容、所述第一平面型功率器件、所述第二平面型功率器件以及所述多个引脚的部分。6.如权利要求1所述的塑封型功率模块，其中，所述第一平面型功率器件的所述第一表面与所述第二平面型功率器件的所述第一表面在垂直方向上正对排布，其在所述垂直方向上的投影面积完全重叠。7.如权利要求1所述的塑封型功率模块，其中，所述塑封型功率模块还包括散热器，所述第一平面型功率器件的所述第二表面和/或所述第二平面型功率器件的所述第二表面粘接到所述散热器上。8.如权利要求2所述的塑封型功率模块，其中，所述引脚分布于所述塑
\t封型功率模块的至少一侧。9.如权利要求2所述的塑封型功率模块，其中，所述引脚弯折成L型或J型。10.一种塑封型功率模块，包括：基板，所述基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面上分别具有多个引线端；第一平面型功率器件，所述第一平面型功率器件包括具有电极的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述电极分别对应粘接到所述基板的所述第一表面的所述引线端上；第二平面型功率器件，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲁凯，赵振清，王涛，梁乐，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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