一种测试发光二极管晶粒的方法，利用量测该发光二极管晶粒与邻近的发光二极管晶粒的电性差异，再根据邻近的发光二极管晶粒的光学数值来估算该发光二极管晶粒的光学数值。可以有效提升测试发光二极管晶粒的效率。该方法包含量测第一发光二极管晶粒的光学数值，分别量测该第一发光二极管晶粒与一第二发光二极管晶粒的电性以计算出一内阻差值，以及根据该内阻差值及该第一发光二极管晶粒的光学数值估算出第二发光二极管晶粒的光学数值。该方法还可以根据一预设电流建立电压值与波长的关系函数，利用该预设电流驱动待测发光二极管晶粒，量测该晶粒的电压值并根据该电压值与波长的关系函数估算该待测晶粒所产生的光线的波长。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术相关于一种，尤指一种利用发光二极管晶粒的电性差异来估算光学数值的。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)由P_N接合半导体构成，当电流从P侧流向N侧随即发光，可高效率的将电能转换成光源。发光二极管的制造流程为先制备发光二极管晶片(wafer)，将晶片切割为发光二极管晶粒(die)之后，重新排列在输送带上，以两端探针接触单一发光二极管晶粒的P型电极与N型电极，测试其是否发光之后，再移动探针并测试下一颗发光二极管晶粒，故测试时是以逐一点测方式测试每一发光二极管晶粒， 测试时间冗长。接下来将每一发光二极管晶粒个别放置在基板(或导线架)上，打线电性连接发光二极管晶粒与基板(或导线架)，再以透明树脂或玻璃盖密封发光二极管晶粒，最后再测试一次已封装后的发光二极管晶粒。关于发光二极管的光学特性的测试方法，根据国际照明协会(CIE)公布的 「CIE-127 Measurements of LEDs」规定，在量测发光二极管的光强度(mcd)时，须将发光二极管的几何轴中心对准感测器，并使发光二极管与感测器之间保持IOOmm的距离，并且感测器接受光的直径为11. 3mm，量测全光通量(total luminous flux)时为所发光角度的能量总和，在这些限制条件下，为了能够准确量测光度学参数CIE(x，y)、主波长λ 、峰值波长 λ P、纯度(purity)、半峰全宽(full width at half maximum, FWHM)和光强度 IV 等等，通常发光二极管的光学特性的测试方法包含步骤第一，当发光二极管输送至第一测试点后，会被点亮发光，使发光二极管光束射出；第二，发光二极管光束射入第一测试点所设置的第一测试装置内，以进行第一项测试，待测试完毕后，发光二极管会被熄灭，并送往第二测试点；第三，当发光二极管输送至第二测试点后，会再度被点亮发光，以使发光二极管光束射出；第四，当发光二极管光束射入第二测试点所设置的第二测试装置后，便进行第二项测试，待测试完毕后，发光二极管会被熄灭，并送往下一个测试点。发光二极管晶粒在做点测时需量测电性以及光学特性，由于量测电性时反应速度较快，且不需使用任何演算法就可以获得正确与稳定的量测数值，但量测光学特性时就需根据发光二极管晶粒的特性来设定晶粒稳定时间、光学量测系统的曝光时间以及运算校正的系统函数演算法来取得稳定的量测数值，故发光二极管晶粒的量测光学特性的时间约占总量测时间的1/3 1/2时间。然而，目前发光二极管磊晶厂的磊晶机已由4英寸进展成 6英寸，若以IOxM密耳(mil)的晶粒为例，一片晶片所需点测的数量也由5万多颗晶粒变成10万多颗晶粒，因此发光二极管晶粒测试机台的点测效率实为急需改善的首要问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的一目的在于提供一种，其可以有效提升测试发光二极管晶粒的效率。本专利技术提供一种，包含量测一第一发光二极管晶粒所产生的光线，并记录一第一光学数值；量测该第一发光二极管晶粒的电性，以计算出一第一内阻值；量测一第二发光二极管晶粒的电性，以计算出一第二内阻值；比较该第一内阻值与该第二内阻值，以计算出一内阻差值；以及根据该内阻差值以及该第一光学数值计算出一第二光学数值，并记录该第二光学数值作为该第二发光二极管晶粒所产生的光线的光学数值。其中，测该第一发光二极管晶粒的电性，以计算出该第一内阻值包含量测该第一发光二极管晶粒以一第一预设电流驱动时的电压值；量测该第一发光二极管晶粒以一第二预设电流驱动时的电压值；以及根据该第一发光二极管晶粒以该第一预设电流驱动以及该第二预设电流驱动时的电压差值，计算该第一内阻值。测该第二发光二极管晶粒的电性，以计算出该第二内阻值包含量测该第二发光二极管晶粒以该第一预设电流驱动时的电压值；量测该第二发光二极管晶粒以该第二预设电流驱动时的电压值；以及根据该第二发光二极管晶粒以该第一预设电流驱动以及该第二预设电流驱动时的电压差值，计算该第二内阻值。优选的，第一预设电流小于等于10微安培，该第二预设电流大于等于10毫安培。其中，第一发光二极管晶粒为一最佳样品的发光二极管晶粒或者邻近于该第二发光二极管晶粒。其中，第一光学数值以及该第二光学数值分别包含波长值。其中，第一光学数值以及该第二光学数值分别包含亮度值。本专利技术另提供一种，包含根据一预设电流建立一电压值与波长的关系函数；利用该预设电流驱动一待测晶片的发光二极管晶粒；量测该待测晶片的发光二极管晶粒的电压值；以及根据该电压值与波长的关系函数估算该待测晶片的发光二极管晶粒所产生的光线的波长。其中，据该预设电流建立该电压值与波长的关系函数包含提供该预设电流以使该发光二极管晶粒的内阻值所造成的压降是可被忽略的。优选的，该预设电流小于等于10微安培。其中，据该预设电流建立该电压值与波长的关系函数包含利用该预设电流驱动一最佳样品的发光二极管晶粒；以及量测该最佳样品的发光二极管晶粒所产生的光线的波长以及电压值，以建立该电压值与波长的关系函数。其中，据该电压值与波长的关系函数估算该待测晶片的发光二极管晶粒所产生的光线的波长包含量测该最佳样品的发光二极管晶粒所产生的光线的波长以产生一波长校正函数；根据该电压值与波长的关系函数获得该待测晶片的发光二极管晶粒的波长估计值；以及根据该波长校正函数以及该波长估计值估算该待测晶片的发光二极管晶粒所产生的光线的波长。本专利技术，其有益效果在于本专利技术利用量测待测发光二极管晶粒与邻近或最佳样品的发光二极管晶粒的电性差异，再根据邻近或最佳样品的发光二极管晶粒的光学数值来估算待测发光二极管晶粒的光学数值。在第一实施例中，先量测第一发光二极管晶粒的光学数值，再分别量测第一发光二极管晶粒与第二发光二极管晶粒的电性以计算出二者的内阻差值，如此可根据内阻差值及第一发光二极管晶粒的光学数值估算出第二发光二极管晶粒的光学数值。在第二实施例中，先根据预设电流以及最佳样品建立一电压值与波长的关系函数，再量测以预设电流驱动待测晶片的发光二极管晶粒的电压值，如此可根据电压值与波长的关系函数估算待测晶片的发光二极管晶粒的波长。因此，本专利技术，可较原本点测方式节省许多点测时间进而有效提升测试发光二极管晶粒的效率。附图说明图1为发光二极管晶粒于磊晶片上的波长分布的示意图。图2为本专利技术的第一实施例的流程图。图3为发光二极管晶粒于磊晶片上的内阻差值的示意图。图4为本专利技术的第二实施例的流程图。图5为发光二极管晶粒的电压值与波长的关系图。图6为发光二极管晶粒的波长估计值与波长校正值的关系图。具体实施例方式请参考图1，图1为发光二极管晶粒于磊晶片上的波长分布的示意图。根据光谱量测的结果，磊晶片上邻近的发光二极管晶粒的波长并不会有剧烈的变化，而是呈现渐渐的递增或递减分布。例如，区域A的波长介于457nm至458. 5nm,区域B的波长介于455. 5nm 至457nm，区域C的波长介于454nm至455. 5nm,区域D的波长介于452. 5nm至454nm，区域 E的波长介于451nm至452. 5nm,区域F的波长介于449. 5nm至451nm。因此，本专利技术利用邻近发光二极管晶粒的电性差异来估算发光二极管晶粒的光学数值，此方式可较原本点测方式节省许多点测时间进而提升整个本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种测试发光二极管晶粒的方法，其特征在于，包含：量测一第一发光二极管晶粒所产生的光线，并记录一第一光学数值；量测该第一发光二极管晶粒的电性，以计算出一第一内阻值；量测一第二发光二极管晶粒的电性，以计算出一第二内阻值；比较该第一内阻值与该第二内阻值，以计算出一内阻差值；以及根据该内阻差值以及该第一光学数值计算出一第二光学数值，并记录该第二光学数值作为该第二发光二极管晶粒所产生的光线的光学数值。
【技术特征摘要】
1.一种测试发光二极管晶粒的方法，其特征在于，包含量测一第一发光二极管晶粒所产生的光线，并记录一第一光学数值； 量测该第一发光二极管晶粒的电性，以计算出一第一内阻值； 量测一第二发光二极管晶粒的电性，以计算出一第二内阻值； 比较该第一内阻值与该第二内阻值，以计算出一内阻差值；以及根据该内阻差值以及该第一光学数值计算出一第二光学数值，并记录该第二光学数值作为该第二发光二极管晶粒所产生的光线的光学数值。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，测该第一发光二极管晶粒的电性，以计算出该第一内阻值包含量测该第一发光二极管晶粒以一第一预设电流驱动时的电压值； 量测该第一发光二极管晶粒以一第二预设电流驱动时的电压值；以及根据该第一发光二极管晶粒以该第一预设电流驱动以及该第二预设电流驱动时的电压差值，计算该第一内阻值。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，测该第二发光二极管晶粒的电性，以计算出该第二内阻值包含量测该第二发光二极管晶粒以该第一预设电流驱动时的电压值； 量测该第二发光二极管晶粒以该第二预设电流驱动时的电压值；以及根据该第二发光二极管晶粒以该第一预设电流驱动以及该第二预设电流驱动时的电压差值，计算该第二内阻值。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，第一预设电流小于等于10微安培，该第二预设电流大于等于10毫安培。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一发光二极管晶粒为一最佳样品的发光二极管晶粒。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一发光二极管晶粒...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑勖廷，曾一士，王遵义，
申请(专利权)人：致茂电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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