平面相变存储器的制备方法技术

一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的ｎａｎｏ－ｇａｐ电极；最后淀积一层绝缘材料，再在ｎａｎｏ－ｇａｐ电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微纳
，特别涉及一种。本专利技术提 出了一种采用侧墙工艺、湿法腐蚀方法制备平面相变存储器的方法。该方法尽量避免使用 电子束曝光的成本高、周期长的不足，制备方法简单，可控性好，在突破光刻分辨率限制及 提高平面相变存储器的制备效率等方面具有很大的优越性。
技术介绍
存储器自问世以来，在半导体产业中占着越来越重要的地位。全球的半导体市场 中，存储器占有80 %的份额。而且随着信息化产业的不断发展和需求，存储器的发展也在发 生着日新月异的变化。存储器按其存储特性可以分为挥发型(断电后数据会丢失，如DRAM 和SRAM)和非挥发型(断电后数据不会丢失，如FLASH，EPR0M)两种类型。近年来，非挥发 性存储器(Flash为主流)，在摩尔定律的驱动下，占有了存储器市场近20%的份额。非挥 发存储器已经与人们的生活和工作息息相关，手机、数码相机、移动存储设备等等，都已成 为人们的必需品。但是在这样大的需求下，Flash存储器受到摩尔定律的限制，已经很难再 有以前势不可挡的发展的趋势。因此，新一代的非挥发存储器呼之欲出。相变存储器(PRAM或者0UM)是由S. R. Ovshinsky在1968年基于硫系化合物薄膜 相变时具有明显的电阻差异而具有存储效应提出来的。它具有高速读取、高可擦写次数、非 易失性、功耗低、成本低、可多级存储、抗强震动和抗辐照等优点，被国际半导体工业协会认 为是最有可能取代目前的Flash存储器，而成为未来存储器的主流产品和最先成为商用产 品的器件。相变存储器自诞生以来已经有很多人对它进行了研究，例如0vOnyX、Intel、IBM、 Samsung.STMicroelectronics,Hitachi等，通过改变相变材料和器件结构等已经使其具备 了良好的性能。但是，随着半导体行业的高速发展，存储器的集成密度随着摩尔定律提高。 要想使相变存储器能够在今天的存储器市场上具有竞争力，必须实现更高密度的存储。因 此，制备小尺寸的尤其是纳米尺度的相变存储器，成为当前研究的重要课题。目前，获得小尺寸的方法，主要有电子束曝光(EBL)、聚焦离子束曝光(FIB)等，但 是它们或者周期太长或者成本过于高昂。为了实现在光刻分辨率的条件下制备纳米尺寸的 存储器、提高器件制备效率、降低器件成本，我们提出本专利技术构思。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种，以寻找到一种小尺 寸，并且制备方法简单且成本较低，能够突破光刻分辨率限制， 并提高平面相变存储器的制备效率。为达到上述目的，本专利技术提供一种，包括如下步骤步骤1 在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；步骤2 用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧 墙的基底；步骤3 在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；步骤4:采用干法回刻，去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料 层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；步骤5 用湿法腐蚀的方法去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；步骤6 采用干法刻蚀的方法去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成 由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；步骤7 采用光刻或电子束光刻+薄膜淀积+剥离工艺在该侧墙的一条边上搭上 一条制作电极的金属层；步骤8、再用湿法腐蚀的方法去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹 有相变材料层的nano-gap电极；步骤9、最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出 电极，完成平面相变存储器的制作。其中所述电热绝缘材料层是氮化硅或Si02。其中所述相变材料层是Ge2Sb2Te5、Sb2Te3、Ge1Sb2Te4, Ge2Sb4Te7或者含有硫族元素 的任意相变材料中的一种。其中所述基底材料层是SiO2、氮化硅或多晶硅。其中所述侧墙材料层是SiO2、氮化硅或多晶硅。其中所述金属层是钨、镍或氮化钛。其中所述绝缘材料层是氧化物、氮化物或硫化物，或者是由氧化物、氮化物、硫化 物中的至少两种构成的混合物中的任一种；其中所述淀积绝缘材料的方法是溅射法、蒸发法、等离子体辅助淀积法、化学气相 淀积法、金属有机物热分解法、激光辅助淀积法或热氧化方法中的一种。从上述技术方案可以看出，本专利技术具有以下有益效果本专利技术提供的这种平面相变存储器的制备的方法，采用薄膜工艺、光刻剥离工艺、 光刻干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺和侧墙工艺制备了平面相变存储器。这种平面相变存储 器的制备方法的特点在于结构简单，制备方便，器件尺寸小，尽量避免了使用电子束曝光 (EBL)，聚焦离子束曝光(FIB)等技术，大大降低了成本，集成度大幅度的提高，同时突破光 刻分辨率限制及提高了平面相变存储器的制备效率等。附图说明为进一步描述本专利技术的具体
技术实现思路
，以下结合实施例及附图详细说明如后，其 中图1是本专利技术提供的的流程图；图2-图9是的结构示意图。具体实施例方式请参阅图1至图10所示，本专利技术一种，包括如下步 骤步骤1 在衬底101上依次生长一层电热绝缘材料层102，相变材料层103和基底材料层104 ；所述的电热绝缘材料102，可以是氧化物、氮化物、硫化物或者是由氧化物、氮 化物、硫化物中的至少两种构成的混合物中的任一种；所述在衬底上生长一层电热绝缘材 料102，可以是采用溅射法、蒸发法、等离子体辅助淀积法、化学气相淀积法、金属有机物热 分解法、激光辅助淀积法和热氧化方法中的一种实现的；所述电热绝缘材料102，对于步骤 5中湿法去除基底材料层103时使用的腐蚀液具有抗腐蚀性；所述电热绝缘材料102，对于 步骤8中湿法去除侧墙105’时使用的腐蚀液具有抗腐蚀性；所述的相变材料层103，可以 是Ge2Sb2Te5、Sb2Te3、GeiSb2Te4、Ge2Sb4Te7或者含有硫族元素的任意相变材料中的一种；所述 相变材料层103，对于步骤5中湿法去除基底材料层104时使用的腐蚀液具有抗腐蚀性；所 述相变材料层103，对于步骤8中湿法去除侧墙105’时使用的腐蚀液具有抗腐蚀性；所述 的基底材料层104，可以是氧化物、氮化物、硫化物或者是由氧化物、氮化物、硫化物中的至 少两种构成的混合物中的任一种；所述淀积一层基底材料层104，可以是采用溅射法、蒸发 法、等离子体辅助淀积法、化学气相淀积法、金属有机物热分解法、激光辅助淀积法和热氧 化方法中的一种实现的；所述相变材料层103的厚度为20-200nm ；所述基底材料层104的 厚度为 20-2000nm(图 2)；步骤2 用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层104的四边，形成图形作为制备 侧墙的基底(图2)；步骤3 在该相变材料层103的上面和基底材料层104的表面淀积侧墙材料层 105 ；其中所述的侧墙材料层105，可以是氧化物、氮化物、硫化物或者是由氧化物、氮化物、 硫化物中的至少两种构成的混合物中的任一种；所述淀积一层侧墙材料层105，可以是采 用溅射法、蒸发法、等离子体辅助淀积法、化学气相淀积法、金属有机物热分解法、激光辅助 淀积法和热氧化方法中的一种实现的；所述的侧墙材料层105，对于步骤5中去除基底材料 层104时使用的腐蚀液具有抗腐蚀性(图3)；步骤4 采用干法回刻，去除基底材料层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：步骤１：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；步骤２：用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；步骤３：在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；步骤４：采用干法回刻，去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；步骤５：用湿法腐蚀的方法去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；步骤６：采用干法刻蚀的方法去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；步骤７：采用光刻或电子束光刻＋薄膜淀积＋剥离工艺在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；步骤８、再用湿法腐蚀的方法去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的ｎａｎｏ－ｇａｐ电极；步骤９、最后淀积一层绝缘材料，再在ｎａｎｏ－ｇａｐ电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张加勇，王晓峰，马慧莉，程凯芳，王晓东，杨富华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]