半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法。提供在具有场板结构和ＲＥＳＵＲＦ形成结构的半导体装置的制造工艺中，能够防止抗蚀剂涂敷时的涂敷不均产生、并且谋求照相制版时的聚焦裕度提高的半导体装置及其制造方法。本发明专利技术的半导体装置在半导体衬底（７）的表面中形成有电极层（８）和凹陷部（１２）。进而，在半导体衬底（７）中，形成有与凹陷部（１２）的底面和电极层（８）接触的ＲＥＳＵＲＦ层。此外，以填充凹陷部（１２）的方式，在半导体衬底（７）的上表面（１３）形成绝缘膜（１５）。此外，在凹陷部（１２）的上方的绝缘膜（１５）上形成有场板电极（１１）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及的专利技术，例如能够应用于要 求高耐压的功率半导体元件。
技术介绍
在高耐压的二极管、双极晶体管、功率MOSFET和IGBT等的高耐压半导体装置的结 终端部分，需要缓和主结表面附近的耗尽层端部的电场。为了该耗尽层端部的电场缓和， 在现有技术中，采用场板结构、RESURF (Reduced Surface Field，降低表面电场以下，称为 RESURF)层的形成结构。例如，在专利文献1中，公开了通过组合场板结构和RESURF层形成结构，使元件耐 压提高的技术。在该专利文献1的图3中公开的结构中，RESURF层在η型半导体衬底的表面内形 成。该RESURF层以与电极层(ρ型阳极区域)连接的方式形成，通过比该电极层浓度低的 P型杂质构成。此外，该RESURF层与在半导体衬底表面内形成的沟道截止层隔开规定的距 离而形成。此外，在专利文献1的图3中公开的半导体装置中，在上述RESURF层上隔着绝 缘膜设置有导电膜(场板电极)。专利文献1 日本特开平8-306937 (图3)在上述专利文献1中公开的场板电极下的绝缘膜的厚度薄的情况下，在场板电极 端部附近产生雪崩，元件耐压变低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底，具有第一导电型，具有形成了凹陷部的上表面；电极层，具有第二导电型，与所述凹陷部邻接，在所述半导体衬底的表面内形成；ＲＥＳＵＲＦ层，具有比所述电极层浓度低的所述第二导电型的杂质，以与所述凹陷部的底面和所述电极层接触的方式在所述半导体衬底内形成；绝缘膜，以填充所述凹陷部的方式在所述半导体衬底的上表面形成；以及场板电极，在所述凹陷部上方的所述绝缘膜上形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：本田成人，楢崎敦司，本并薰，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]