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本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供在具有场板结构和ＲＥＳＵＲＦ形成结构的半导体装置的制造工艺中，能够防止抗蚀剂涂敷时的涂敷不均产生、并且谋求照相制版时的聚焦裕度提高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置在半导体衬底（７）的表面中形...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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