【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件制造工艺
，具体涉及一种半导体芯片的共晶方 法及共晶结构。
技术介绍
当前，在国内众多的LED封装厂，芯片和基板的连接方式主要通过胶(包括银 胶、硅胶、白胶)固晶的方式连接。即先把胶滴在基板上，然后把芯片放在基板上有胶 的位置，通过胶的粘结作用把芯片固定在基板上。然而，由于胶(无论是银胶、硅胶还是白胶)的热传导系数比较低，所以用此种 方法把芯片固定在基板上，存在一个隐忧，即芯片内产生的热不能有效的传导出去，进 而造成芯片可靠性的衰减；此隐忧在大功率芯片中尤其显著。为了解决上述由于热传导效率差而导致的芯片可靠性衰减的问题，一般主要通 过共晶的方法把芯片连接在基板上(此共晶材料具有高的热传导率)。即在芯片的背面 和基板的正面镀上共晶材料，然后在一定的温度和压力下，使芯片上的共晶材料和基板 上的共晶材料发生共晶反应，进而使芯片和基板结合在一起。图1是现有技术共晶工艺 的制造方法流程图，其中1为基板，11为共晶材料，在基板1的正面镀上共晶材料11; 2 为芯片，21为共晶材料，在芯片2的背面镀上共晶材料21 ；然后在一定的温度(300度) ...
【技术保护点】
一种半导体芯片的共晶方法，其特征在于，包括：以基板的一面为承载面形成第一共晶层和以半导体芯片的一面为承载面形成第二共晶层，所述第一共晶层或者第二共晶层为形成有孔结构的共晶层；对第一共晶层和第二共晶层进行共晶连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘英策，火东明，孙天宝，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。