荧光量或吸光量的测定方法及测定装置制造方法及图纸

本发明专利技术得到一种荧光量或吸光量的测定方法及测定装置，其将从试样产生的荧光量，作为“可溯源至国家标准的每单位面积的光量”而定量地测定。在荧光量测定方法中，向试样照射激励光，经由受光光学系统，利用受光元件测定从该试样产生的荧光，并具有下述步骤：向试样照射激励光的步骤，该激励光具有可溯源至国家标准且在试样表面的每单位面积上为预先指定的光量值；经由受光光学系统，利用受光元件测定从试样产生的荧光的步骤；以及基于每单位面积上的指定激励光量、受光光学系统的光学系数以及受光元件的受光系数，对由受光元件测定的荧光量进行运算，从而作为可溯源至国家标准的每单位面积的光量值而进行计算的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测定由试样产生的荧光的量及被试样吸收的光的量的荧光量或吸光量的测定方法及测定装置。更详细地说，涉及下述的荧光量测定方法以及荧光量测定装置，即，将为了荧光测定而向试样照射的激励光，标准化为“可溯源至国家标准且每单位面积上为指定光量”的值，由此，作为“可溯源至国家标准的每单位面积的光量”，定量地测定由试样产生的荧光量，而不是如现有技术那样的比(比例值)。相同地，涉及下述的吸光量测定方法以及吸光量测定装置，即，将吸光测定中向试样照射的照射光，标准化为“可溯源至国家标准且每单位面积上为指定光量”的值，由此，作为“可溯源至国家标准的每单位面积的光量”，定量地测定由试样吸收的吸收光量，而不是如现有技术那样的比(比例值)。
技术介绍
作为读取DNA微矩阵的装置，已知微矩阵扫描仪。使用微矩阵扫描仪，向DNA微矩阵照射激光，通过一边扫描DNA微矩阵的图像一边读入，从而可以将目标分子的荧光量分布作为二维图像而测定。专利文献1：日本特开2004-333333号公报专利文献2：日本特开2004-191232号公报
技术实现思路
但是，在上述微矩阵扫描仪中，由于向DNA微矩阵照射激光，一边利用PMT(光电倍增管：Photomultiplier)进行电流放大，一边测定从试样(目标分子)产生的荧光，所以在受光单元的线性及放大率的稳定性上存在极限，难以得到与向试样照射的激励光量精度高的相干系数。因此，测定的荧光量通常以任意单位表示。以下，将利用该PMT等受光器进行受光并测定的荧光量称为读取值。另外，由于对于激光等激励光的测定条件没有校正手段，所以对于读取荧光量分布而得到的二维图像，即使可以进行1个画面内的相对测定，也无法对多次测定或对不同机体间的读取值进行直接比较。另外，通常对于微矩阵扫描仪的测定装置，没有测定精度及再现性的规定，即使是相同制造商的同一机型，也无法保证测定相同试样时的读取值为相同的值。即，存在本质上的机器差异。当然，在不同的制造商之间，无法保证以相同的方式测定相同试样时的读取值相同。即，难以实现跨越制造商的测定标准化。即，没有像电气·机械系统中采用电压[V]或长度[m]等单位系统那样使用可溯源至国家标准的绝对的单位系统。因此，在现有技术中，采用相对测定法，即，将作为比较对象的标准物质(控制物质)和试样同时进行测定，检测该标准物质和试样的测定值的比。-->但是，在使用该标准物质的相对测定法中，存在下述课题。1a)由于标准物质的流通而限制测定标准化。1b)作业时间及作业成本升高，以及由于标准物质的不稳定性而导致测定品质降低。另一方面，激励光等光量一样的光，可利用光电二极管等以可溯源至国家标准的方式测定，但只能得到非图像的0维的点数据。与此相对，在日本特开2004-191232号公报中，公开了将照相机的亮度值校正为国家标准的光能量[W]的方法。由此，可以针对拍摄的图像的每个像素而得到可溯源至国家标准的光能量的光量值(以下，称为“图像能量测量仪”)。即，可以测定试样的空间分布。但是，在这里公开的仅是受光侧的结构，对于激励光的具体的校正方法没有记载。另外，与测定系统相关的计算式没有公开。本专利技术的目的在于，将为了荧光测定向试样照射的激励光，标准化为“可溯源至国家标准且每单位面积上为指定光量”的值，由此，作为“可溯源至国家标准的每单位面积的光量”，定量地测定由试样产生的荧光量，而不是现有技术那样的比(比例值)。相同地，将吸光测定中向试样照射的照射光，标准化为“可溯源至国家标准且每单位面积上为指定光量”的值，由此，作为“可溯源至国家标准的每单位面积的光量”，定量地测定由试样吸收的吸收光量，而不是现有技术那样的比(比例值)。对此，更具体地说，可以达到以下的作用效果。(1)利用具有可溯源至国家标准的光量单位的绝对值，进行此前只能相对地进行比较的荧光量及吸光量的评价，从而可以实现对多次测定及对不同测定器机体间的读取值进行直接比较。由此，可以实现标准化。(2)作为装置，只要一次确定试样的物质量与读取值之间的关系，就可以进行试样的测定，不需要“为了校正装置而在每次测定时都利用标准物质生成标定曲线(calibration curve)”。(3)通过使用照相机作为受光元件，不仅可以得到0维的点信息，还可以从二维的照相机图像本身中得到每个像素的光量，相同地，通过以具有可溯源至国家标准的光量单位的绝对值对图像的每个像素进行表示，可以定量地测定试样的空间分布。在本专利技术的荧光量测定方法中，向试样(荧光分子)照射激励光，经由受光光学系统，利用受光元件测定从该试样产生的荧光，其特征在于，具有下述步骤：向所述试样照射激励光的步骤，该激励光具有可溯源至国家标准且在试样表面的每单位面积上为预先指定的光量值；经由所述受光光学系统，利用所述受光元件测定从所述试样产生的荧光的步骤；以及基于所述每单位面积上的指定激励光量、所述受光光学系统的光学系数以及所述受光元件的受光系数，对由所述受光元件测定的荧光量进行运算，从而作为可溯源至国家标准的每单位面积上的光量值而进行计算的步骤。根据该荧光量测定方法，可以将从试样产生的荧光量，作为“可溯源至国家标准的每单位面积的光量”例如由[W/m2]构成的单位系统的输出值而定量地导出，而不是如现有技术那样的激励光量和荧光量的比即比例值。另外，本专利技术的吸光量测定方法，向试样(吸光分子)照射照射光，经由受光光学系统，利用受光元件测定由该试样吸收后的透过光，其特征在于，具有下述步骤：经由所述-->受光光学系统，利用所述受光元件测定照射光的步骤，该照射光具有可溯源至国家标准且在试样表面的每单位面积上为预先指定的光量值；将所述照射光向所述试样照射的步骤；经由所述受光光学系统，利用所述受光元件测定由所述试样吸收后的透过光的步骤；以及基于所述每单位面积上的指定照射光量(吸收前的光量值)、所述受光光学系统的光学系数以及所述受光元件的受光系数，对由所述受光元件测定的透过光量进行运算，从而作为可溯源至国家标准的每单位面积上的吸光量值而进行计算的步骤。根据该吸光量测定方法，可以将由试样吸收的光量，作为“可溯源至国家标准的每单位面积的光量”例如由[W/m2]构成的单位系统的输出值而定量地导出，而不是如现有技术那样的激励光量和荧光量的比即比例值。此时，激励光或者照射光作为“每单位面积上为预先指定的光量值”而事先设定。例如，设定为1[W/m2]。另外，受光光学系统的光学系数以及上述受光元件的受光系数是装置固有的装置系数。另一方面，在荧光测定中，荧光物质的量由激励光量和荧光量的比表示，在吸光测定中，吸光物质的量由照射光量和吸光量的比表示。因此，在荧光测定中，通过将激励光量标准化，由此仅通过测定荧光量，就可以进行与物质的量对应的测定。另外，在吸光测定中，测定透过光量，然后从预先存储的吸收前的照射光量值中减去该透过光量，就可以计算本次测定的分子的吸光量。因此，在吸光测定中，通过将照射光量标准化，由此仅通过测定透过光量，并使用预先存储的吸收前的照射光量值进行运算，就可以进行与物质的量对应的测定。在现有的荧光测定中，由于荧光物质的量为激励光量和荧光量的比，在吸光测定中，吸光物质的量为照射光量和吸光量的比，为无量纲参数，所以无法实现“可溯源至国家标本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光量测定方法，其向试样照射激励光，经由受光光学系统，利用受光元件测定从该试样产生的荧光，其特征在于，具有下述步骤：向所述试样照射激励光的步骤，该激励光具有可溯源至国家标准且在试样表面的每单位面积上为预先指定的光量值；经由所述受光光学系统，利用所述受光元件测定从所述试样产生的荧光的步骤；以及基于所述每单位面积上的指定激励光量、所述受光光学系统的光学系数以及所述受光元件的受光系数，对由所述受光元件测定的荧光量进行运算，从而作为可溯源至国家标准的每单位面积上的光量值而进行计算的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2009-8-6 2009-1833171.一种荧光量测定方法，其向试样照射激励光，经由受光光学系统，利用受光元件测定从该试样产生的荧光，其特征在于，具有下述步骤：向所述试样照射激励光的步骤，该激励光具有可溯源至国家标准且在试样表面的每单位面积上为预先指定的光量值；经由所述受光光学系统，利用所述受光元件测定从所述试样产生的荧光的步骤；以及基于所述每单位面积上的指定激励光量、所述受光光学系统的光学系数以及所述受光元件的受光系数，对由所述受光元件测定的荧光量进行运算，从而作为可溯源至国家标准的每单位面积上的光量值而进行计算的步骤。2.一种吸收光量测定方法，其向试样照射照射光，经由受光光学系统，利用受光元件测定由该试样吸收后的透过光，其特征在于，具有下述步骤：经由所述受光光学系统，利用所述受光元件测定照射光的步骤，该照射光具有可溯源至国家标准且在试样表面的每单位面积上为预先指定的光量值；将所述照射光向所述试样照射的步骤；经由所述受光光学系统，利用所述受光元件测定由所述试样吸收后的透过光的步骤；以及基于所述每单位面积上的指定照射光量、所述受光光学系统的光学系数以及所述受光元件的受光系数，对由所述受光元件测定的透过光量进行运算，从而作为可溯源至国家标准...

【专利技术属性】
技术研发人员：田名网健雄，青木秀年，杉山由美子，下田聪一郎，兰宗树，
申请(专利权)人：横河电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]