光量测定装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光量测定装置，能以简单的结构实现有效且接近安装状态下的高精度测定。光量测定装置(1)具备测定台(10)、探针(20)以及光检测器(30)，测定台(10)用于承载以放射状射出光束的LED(101)，探针(20)接触LED(101)的端子(102)并向其供电，使得LED(101)发光，光检测器(30)接收LED(101)射出的光束并测定其光量，探针(20)可以向着靠近、远离测定台(10)的方向移动，当探针(20)向着靠近测定台(10)的方向移动时，探针(20)接触端子(102)，在光检测器(30)中的测定，是在相对于使探针(20)向着测定台(10)移动的移动量，端子(102)对探针(20)的反作用处于饱和状态的区域内进行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及一种用于半导体发光元件的光量测定装置。
技术介绍
半导体发光元件的制造工艺包含多个工序，为了保证品质，在最终完成产品前的 设置巧片等阶段进行发光量的测定。对于该种测定，要求不影响元件本身的特性，且要进行 准确的测定。有关该种光量测定工序，作为测定半导体发光元件的光量的装置，例如，专利 文献1中揭示了一种L邸巧片的光学特性测定装置。 专利文献1揭示了将L邸巧片通过粘结片载置到透明板上，并利用设置于透明板 下方的光学检测装置来测定LED巧片的光学特性的技术。 专利文献2揭示了将从表面与背面发光的发光元件配置到透明台上，且透明台的 上侧与下侧具有光检测装置的技术。 在先技术文献： 专利文献 专利文献1 ;日本专利公报特开2005-49131号；[000引专利文献2 ;日本专利公报特开2007-19237号。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题 然而，关于专利文献1所揭示的技术，考虑到粘结片与透明板对光学特性的影响， 需要将基础光照射到无L邸巧片的部位，而且，需要设置检测基础光的光学特性的光学检 测装置。因此，导致装置的结构变得复杂。 关于专利文献2所揭示的技术，由于是用上侧光检测装置与下侧光检测装置来检 测来自发光元件的光量，因此能进行高精度的测定，但是，除了上侧光检测装置之外还需要 下侧光检测装置，导致装置的结构变得复杂。 而且，在上述的现有技术中，使通过L邸等发光元件的端子施加电压的探针相对 于发光元件的发光面从垂直方向或者相对于端子从斜上方接触端子时，存在一些问题。 例如，使探针从垂直方向接触时，为了精确地测定发光面的发光量，需要光检测器 (化otodetector)靠近发光面而测定更多的光，但是由于探针的存在，光检测器无法靠近， 导致无法进行精确的测定。而且，专利文献1揭示的技术中，不管是从垂直方向还是相对于 端子从斜上方，由于探针接触端子时的时机或者多个探针之间的按压力的差距，会引起发 光元件的卷边、错位、崩飞、旋转等现象，使得无法有效地进行诸多作为检查对象的发光元 件的发光量测定。并且，因探针对端子的接触角度W及按压力，还会出现探针的前端刺入端 子，或者各个发光元件在探针动作时发生移动的问题。还有，也会出现施加电压时探针前端 被烙接到端子上，或者发光元件在探针动作时分别发生移动而阻碍有效测定的问题。 该些问题尤其在W较弱的作用力固定巧片时更容易发生。但是，为了避免该种问 题出现而使用粘着力强的粘结片的话，在检查后的巧片区分工序中很难将巧片从粘结片上 剥罔。 因此，较为理想的是，W较宽的角度测定大量的光，且背面也同时进行测定。而且， 由于巧片轻而容易错位，因此，较佳的是从巧片正上方均等地施加负荷的情况下接触探针。 根据专利文献1W及专利文献2所揭示的技术，装置的结构会变得复杂，测定花费 时间，成本也会变高。而且，在发光量测定中，因粘结片会引起发光量的扩散或者减衰，所 W无法正确并高精度地测定元件本来的特性。因此，在接近被安装到杆（stem)或包装体 (package)上的状态下，难W测定发光特性。并且，探针的配置位置、形状、动作等也会影响 测定效率。对于该些问题，若采取在配置巧片时不使用粘结片并在接触探针时使巧片不发 生错位的措施，测定更多的光，则能得W解决。 用于解决问题的手段 有鉴于W上问题，本专利技术的目的在于提供一种能W简单的结构实现有效且接近安 装状态下的高精度测定的光量测定装置。 为了实现上述目的，本专利技术提供的光量测定装置具备测定台、探针W及光接收部， 所述测定台用于承载能W放射状射出光束的半导体发光元件，所述探针接触所述半导体发 光元件的端子并向其供电，使得所述半导体发光元件发光，所述光接收部接收所述半导体 发光元件射出的光束并测定其光量，所述探针可W向着靠近、远离所述测定台的方向移动， 当所述探针向着靠近所述测定台的方向移动时，所述探针接触所述端子，在所述光接收部 中的测定，是在相对于使所述探针向着所述测定台移动的移动量，所述端子对所述探针的 反作用达到一定的状态的区域内进行。【附图说明】 图1是说明用本专利技术的一种实施方式所设及的光量测定装置来测定半导体发光 元件的发光状况的示意图。 图2是说明用本专利技术的一种实施方式所设及的光量测定装置来测定半导体发光 元件的配光强度的分布图。 图3是表示本专利技术的一种实施方式所设及的光量测定装置的示意图。 图4是说明本专利技术的一种实施方式所设及的光量测定装置的控制/测定系统的示 意图。 图5是表示本专利技术的一种实施方式所设及的光量测定装置的主要结构的放大示 意图。 图6是表示本专利技术的一种实施方式所设及的光量测定装置的探针的放大示意图。 图7是向本专利技术的一种实施方式所设及的光量测定装置供电时表示其动作状况 的示意图。 图8是对本专利技术的一种实施方式所设及的光量测定装置的供电结束后表示其动 作状况的示意图。[002引图9是表示具备直探针的光量测定装置的示意图。 图10是表示光量测定装置中的探针的对端子施加的重量与压入量之间关系的线 图。【具体实施方式】 下面，参照附图来说明本专利技术的实施方式。 <关于发光二极管的发光状况〉 图1是说明用本专利技术的一种实施方式所设及的光量测定装置来测定半导体发光 元件101的发光状况的示意图。本实施方式中，作为半导体发光元件，使用了发光二极管 (W下称为LED;Li曲t血ittingDiode)。 如图1(a)所示，LEDlOl将光束W放射状从其发光面101a射出。本实施方式所提 供的光量测定装置可W对从两面射出光束的LED进行测定，但是，为了便于说明，此说明书 中只举例说明LED101的发光面101a成为上表面时的例子。将LED101的发光面101a的法 线称为发光中屯、轴LCA。 将含发光面101a的平面上的一个方向作为基准轴狂轴）时，自该平面上的X轴 起逆时针旋转的角度表示为9。将中保持不变时的、射出光与发光中屯、轴LCA所成的角度定 义为0。由LED101发光且从其发光面101a射出的光的强度，根据与发光中屯、轴LCA所成 的角度0等的不同而不同。 光量是，全部累计角度(P为0°至360°的范围内时的、角度0在0°至90。的范 围内的光的强度，并对LED101的背面侧也进行相同累计，且将两者加起来的值。根据此光 量，能够检查LED101是否适合各种使用。 从LED101W放射状射出的光的强度，根据不同的角度0W及角度9,成不同的 值。在图1(b)中，可视化地表示了光的强度。图1(b)表示X轴与Y轴的交点部分的角度 0 =0°。圆上的各点分别表示角度0 =90°时的对应各角度9的位置。图1(c)是角度 9的值在一定位置时的截面图。 在此，将处于与LED101隔开相同距离且与发光中屯、轴LCA成角度0的位置上的 光强定义为配光强度E(0)。将该配光强度E(0)按各角度0表示的即为配光强度分布。 [003引另外，在图1的说明中，假设在充分远离LED101的位置上进行测定时可W将 LED101看成一个点。通常，LED101与检测其发出的光的光检测器相比，体积极其小，因此可 W做该种假设。在对图2及其之后的说明中，如果没有特别说明也有同样的含义。 图2是说明用本专利技术的一种实施方式所设及的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光量测定装置，其特征在于：具备测定台、探针以及光接收部，所述测定台用于承载能以放射状射出光束的半导体发光元件，所述探针接触所述半导体发光元件的端子并向其供电，使得所述半导体发光元件发光，所述光接收部接收所述半导体发光元件射出的光束并测定其光量，所述探针可以向着靠近、远离所述测定台的方向移动，当所述探针向着靠近所述测定台的方向移动时，所述探针接触所述端子，在所述光接收部中的测定，是在相对于使所述探针向着所述测定台移动的移动量，所述端子对所述探针的反作用达到一定的状态的区域内进行。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：藤森昭一，望月学，
申请(专利权)人：日本先锋公司，先锋自动化设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP