【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体处理技术和设备领域,具体其涉及一种等离子体浸没离子 注入系统。
技术介绍
等离子体浸没离子注入(Plasma Immersion Ion Implantation, PIII)技术被认 为是替代传统束线离子注入技术制作超浅结的一项新的掺杂技术。其是将基片直接浸没在 等离子体中,当基片台加负脉冲偏压时,在电子等离子体频率倒数的时间尺度内,基片表 面附件等离子体中的电子被排斥,剩下惯性较大的离子形成离子母体鞘层。随后,在离子等 离子体频率的时间内离子被加速注入到基片中,这导致等离子体与鞘层之间的边界向等 离子体区域推进,暴露出的新离子又被提取出来,即鞘层随着离子的运动而扩张。在更长时 间尺度内,鞘层稳定于稳态的蔡尔德定律鞘层(等离子体中离子运动满足蔡尔德定律)。这 是PIII的基本原理。参见附图说明图1,其概括性地示出了现有ICP放电方式的PIII系统。系统包括真空系统、 电源部分、注入电极部分、冷却系统等四大部分组成。真空系统由进气喷嘴111、出气部分 112、离子注入腔室114及机械泵和分子泵组成的组合泵115组成;电源部分包括用于气体 放电产生等离子体的射频电源121和用于离子注入的直流脉冲电源125,其中射频电源又 由射频产生源122和射频L型匹配器123组成;注入电极部分包括基片台171和基片181 ; 冷却部分用于系统工作时分子泵及注入电极部分的冷却等。实际的PIII过程中,例如采用氩气放电实现氩离子掺杂,当注入电极加负脉冲偏 压时,基片正上方的电场并不是绝对的竖直向下,其中基片中间部分的电场为竖直向下方 向,而基片边缘部分由于注 ...
【技术保护点】
一种等离子体浸没离子注入系统,包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分,其特征在于:还包括掺杂源腔室和隔板;所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李超波,刘杰,汪明刚,夏洋,罗威,罗小晨,李勇滔,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
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