一种应用于３２ｎｍ以下技术节点的常压自由基束流清洗新方法技术

一种应用于３２ｎｍ以下技术节点的常压自由基束流清洗新方法，其特征在于：该新方法是采用一个常压介质阻挡等离子体发生器，工作气体可以采用氮气、氮气／氢气的混合气体来产生高密度的自由基，并在一定气体压力下把放电等离子体区产生的高密度自由基由喷口向外喷出，在硅片衬底被加热到一定温度时，喷射到硅片上的高密度自由基束流与硅片上的光刻胶反应生成ＮＯｘ和Ｈ２Ｏ等反应副产物，该反应副产物经由排气管道排出；该高密度的自由基束流还也可以用来去除其它材料表面的有机物和改善表面的亲水性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤指 利用介质阻挡等离子体放电所产生的高密度自由基喷射到硅片上去除光刻胶或其它有机 物的一种新方法。
技术介绍
在微电子工业中光刻胶的清洗是一个十分重要的环节，清洗工序占整个制造工序 的30% 35%。随着集成电路技术节点尺寸减小到32nm及以下，去胶和清洗技术面临这 越来越多的困难。在前道工艺中，超浅结(USJ)工艺中的清洗成为最关键，对此国际半导体蓝图(IT RS)要求每次清洗所造成的硅材料损失小于 . 3A。要满足这样苛刻的要求对于高剂量离 子注入后的去胶工艺而言是相当困难的。同时，新型的FEOL材料也面临其自身带来的光刻 胶去除问题。当使用强氧化性去胶和清洗试剂时，会造成铪基高k值栅介质薄膜严重脱氮， 例如铪硅氧氮化合物(HfSiON)和铪硅氧化物(HfSiO)。当使用氧基等离子体或者具有氧 化性的湿法清洗工艺，类似的脱氮情况也发生在某些金属栅材料上，这促使无论湿法还是 干法清洗都要使用非氧化性的去胶试剂。在后道(BEOL)工艺中，新BEOL材料的引入也增加了去胶工艺的复杂程度。对于 使用超低k电介质绝缘材料的双大马士革结构，当介电常数(k值)小于2.5，去本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种应用于３２ｎｍ以下技术节点的常压自由基束流清洗新方法，其特征在于：该新方法是采用一个常压介质阻挡等离子体发生器，工作气体可以采用氮气或氮气和氢气的混合气体来产生高密度的自由基，并在一定气体压力下把放电等离子体区产生的高密度自由基由喷口向外喷出，在硅片衬底被加热到一定温度时，喷射到硅片上的高密度自由基束流与硅片上的光刻胶反应生成ＮＯｘ和Ｈ２Ｏ等反应副产物，该反应副产物经由排气罩的管道排出；该高密度的自由基束流还也可以用来去除其它材料表面的有机物和改善表面的亲水性能。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩传余，王守国，赵玲利，杨景华，张朝前，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]