高频线路基板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高频线路基板，旨在提供一种剥离强度高、线路不易脱落或断裂的高频线路基板。本实用新型专利技术包括铜箔（１）和设置在所述铜箔（１）下方的绝缘介质层，所述绝缘介质层包括若干层浸胶布（２１）及若干层纯ＰＴＦＥ薄膜（２２），所述浸胶布（２１）与纯ＰＴＦＥ薄膜（２２）相间隔并粘接，所述绝缘介质层的最上层为浸胶布（２１），所述铜箔（１）与绝缘介质层最上层的浸胶布（２１）相粘接。本实用新型专利技术可广泛应用于高频线路基板领域。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高频线路基板。
技术介绍
目前，线路板(PCB)普遍运用于各制造领域，是电子产品必不可少的重要组件之 一，随着电子技术的不断进步，电子信息产品不断向高频化、高速化的方向发展，传统的线 路基板逐渐被高速化、高可靠性的高频线路基板替代，近几年，聚四氟乙烯玻璃布覆铜箔层 压基板因其低介电、低介质损耗、低吸水率、使用温度广等优良的特性在高频线路基板中得 到广泛的运用，但因聚四氟乙烯树脂(PTFE)其分子外有一层惰性的含氟外壳，使它具有突 出的不粘性能，导致与铜箔粘结力差、剥离强度低，从而影响线路板的使用效果，在使用过 程中，线路容易脱落或断裂，严重影响线路板的使用功能，这一直是困绕这种基板生产的一 个关键性能指标。综上所述，现有的高频线路基板存在剥离强度低、线路容易脱落或断裂的技术缺 陷。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种剥离强度高、 线路不易脱落或断裂的高频线路基板。本技术所述高频线路基板所采用的技术方案是所述高频线路基板包括铜 箔、绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述铜箔的下方，所述绝缘介质层包括若干浸胶布 及若干层纯PTFE薄膜，所述浸胶布与所述纯PTFE薄膜相间隔并粘接，所述绝缘介质层的最 上层为浸胶布，所述铜箔与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布相粘接。进一步，所述铜箔包括光亮面I和粗糙面I，所述铜箔的光亮面I朝下，所述绝缘 介质层最上层的所述浸胶布与所述铜箔的光亮面I相粘接，在满足剥离强度要求的前提 下，将所述铜箔的光亮面I与绝缘介质层接触，可使信号在线路传送过程中，不会因铜箔的 粗糙面的粗糙不平造成信号传递不均勻，从而改善无源互调等性能指标。进一步，本技术还包括下层铜箔，所述绝缘介质层的最底层为浸胶布，所述下 层铜箔与所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布相粘接，从而作为双面铜箔的高频线路基 板，满足不同使用要求。所述下层铜箔包括光亮面II和粗糙面II，所述下层铜箔的光亮面II朝上，所述绝 缘介质层最底层的所述浸胶布与所述下层铜箔的光亮面II相粘接。本技术所述包括以下步骤A)、制取浸胶布取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍，预浸渍后制得所述 浸胶布；B)、制取绝缘介质层取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的顺 序进行粘接、垫层，以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层，粘接、垫层若干层所述浸胶布及所述纯PTFE薄膜后，使所述绝缘介质层达到所需厚度，即制得绝缘介质层C)、制取高频线路基板取上一步骤制得的绝缘介质层，在绝缘介质层首层的浸胶 布上覆设铜箔，并进行层压，从而制得高频线路基板。优化地，所述步骤B)中，以浸胶布作为绝缘介质层的最底层；所述步骤C)中，在绝 缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔，然后在所绝缘介质层底层的浸胶布上覆设下层铜箔， 再进行层压，制得双面铜箔的高频线路基板。本技术的有益效果是本技术中，所述绝缘介质层包括若干浸胶布及若 干层纯PTFE薄膜，所述浸胶布与所述纯PTFE薄膜相间隔并粘接，所述绝缘介质层的最上层 为浸胶布，所述铜箔与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布相粘接，通过预浸渍PTFE树脂 的玻璃纤维布即所述浸胶布与纯PTFE薄膜垫层，再覆设铜箔进行层压而制成的高频线路 基板，可增强铜箔与介质间的剥离强度，线路不易脱落或断裂，提高了作为线路的铜箔与绝 缘介质层的粘结强度，防止铜箔与绝缘介质层产生脱离，确保高频信号传输的稳定性，大大 延长线路板的使用寿命。在同等参数和同等条件下，进行剥离强度的检测，本技术所述高频线路基板 的剥离强度可达25N/Cm2以上，比普通基板的剥离强度(要求15N/Cm2以上)提高了 60% ； 常规的高频线路基板均采用铜箔的粗糙面与绝缘介质层接触，从而提高线路基板的剥离强 度，但其弊端是容易导致信号传递不均勻，传输效果较差，而本技术所述高频线路基板 的剥离强度与普通线路基板相比提高了 60%以上，因此，可实现反向设置铜箔，使铜箔的光 亮面与绝缘介质层接触、粘接，其粘结强度仍能达到标准规定的要求(剥离强度15N/Cm2以 上)，从而可以实现信号在线路传送过程中，不会因铜箔的粗糙面的粗糙不平造成信号传递 不均勻，有效改善无源互调等性能指标。附图说明图1是本技术实施例一的结构剖示图；图2是本技术实施例二的结构剖示图；图3是本技术的高频线路基板剥离强度测试图。具体实施方式实施例一如图1所示，本实施例为单面铜箔的高频线路基板，本实施例的高频线路基板包 括铜箔1、绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述铜箔1的下方，所述绝缘介质层包括若 干层浸胶布21和若干层纯PTFE薄膜22，所述浸胶布21与所述纯PTFE薄膜22相间隔并粘 接，所述绝缘介质层的最上层为浸胶布21，所述铜箔1与所述绝缘介质层最上层的所述浸 胶布21相粘接，所述铜箔1包括光亮面I和粗糙面I，所述铜箔1的光亮面I朝下，所述绝 缘介质层最上层的所述浸胶布21与所述铜箔1的光亮面I相粘接。本实施例所述包括以下步骤A)、制取浸胶布取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍，预浸渍后制得所述 浸胶布；B)、制取绝缘介质层取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的顺序进行粘接、垫层，以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层，粘接、垫层若干层所述浸胶布及 所述纯PTFE薄膜后，达到所需厚度，从而制得绝缘介质层C)、制取高频线路基板取上一步骤制得的绝缘介质层，在绝缘介质层首层的浸胶 布上覆设铜箔，并进行层压，从而制得单面铜箔的高频线路基板。实施例二 如图2所示，本实施例为双面铜箔的高频线路基板，与实施例一相比，本实施例还包括下层铜箔3，所述绝缘介质层的最底层为浸胶布21，所述下层铜 箔3与所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布21相粘接；所述下层铜箔3包括光亮面II和粗 糙面II，所述下层铜箔3的光亮面II朝上，所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布21与所述 下层铜箔3的光亮面II相粘接。本实施例所述包括以下步骤A)、制取浸胶布取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍，预浸渍后制得所述 浸胶布；B)、制取绝缘介质层取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的 顺序进行粘接、垫层，以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层，并以所述浸胶布作为绝缘介质 层，若干层所述浸胶布与所述纯PTFE粘接、垫层达到所需厚度，即制得绝缘介质层C)、制取高频线路基板取上一步骤制得的绝缘介质层，在绝缘介质层首层的浸胶 布上覆设铜箔，然后在所绝缘介质层底层的浸胶布上覆设下层铜箔，再进行层压，制得双面 铜箔的高频线路基板。本实施例的其他特征与实施例一一致。现有技术中，采用纯聚四氟乙烯薄膜与铜箔粘接形成线路基板，其剥离强度低，而 本技术用玻璃纤维布浸渍PTFE树脂制得的浸胶布21与纯PTFE薄膜22相间隔粘接形 成绝缘介质层，再与铜箔1粘接、层压，从而使剥离强度显著增大，现有纯聚四氟乙烯薄膜 与铜箔进行剥离破坏试验时，剥离的方向沿纵向线性方向，且应力比较集中，因此其粘结强 度较低导致剥离强度不高，而本技术的高频线路基板加入玻璃纤维布浸渍PTFE树脂 形成的浸胶布21后，绝缘介质层的材料界面层增多，界面层起着传递应力、减缓应力集中、 阻止本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频线路基板，其特征在于：它包括铜箔（１）、绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述铜箔（１）的下方，所述绝缘介质层包括若干层浸胶布（２１）及若干层纯ＰＴＦＥ薄膜（２２），所述浸胶布（２１）与所述纯ＰＴＦＥ薄膜（２２）相间隔并粘接，所述绝缘介质层的最上层为浸胶布（２１），所述铜箔（１）与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布（２１）相粘接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：葛凯，李勋山，刘庆辉，
申请(专利权)人：珠海国能电力科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]