一种桥式整流器制造技术

一种桥式整流器，该桥式整流器的环氧封装体内部由第一连接片、第二连接片、第一支撑片、第二支撑片、第三支撑片、第四支撑片和四个二极管芯片组成；所述第三支撑片的一端与所述第一连接片一端定位连接，该第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，第三支撑片的另一端作为正极输入端；所述第四支撑片的一端与所述第二连接片一端定位连接，该第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第四支撑片的另一端作为负极输入端。本实用新型专利技术克服了现有技术对平整性要求苛刻的限制，大大降低了晶粒受损或者接触不良的几率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种整流器，尤其涉及一种桥式整流器。
技术介绍
桥式整流器是由四个整流二极管组成的一个桥式结构，它利用二极管的单向导电 特性对交流电进行整流，由于桥式整流器对输入正正弦波的利用效率比波整流高一倍，是 对二极管半波整流的一种显著改进，故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。现有DF 二极管整流器产品为双列叠片式结构，生产工艺简单，易操作。但是每颗 二极管晶粒所在的支撑片平整度互相影响造成生产制程中产品内部应力状况不够稳定，晶 粒受损或者接触不良的状况时有发生。因此如何解决现有整流器中由于平整度导致晶粒受损或者接触不良的技术问题， 是本技术研究的问题。
技术实现思路
本技术提供一种桥式整流器，该桥式整流器克服了现有技术对平整性苛刻要 求，大大降低了晶粒受损或者接触不良的几率。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是一种桥式整流器，该桥式整流器 的环氧封装体内部由第一连接片、第二连接片、第一支撑片、第二支撑片、第三支撑片、第四 支撑片和四个二极管芯片组成；所述第一支撑片与第一二极管芯片的负极端和第二二极管芯片的正极端固定连 接，该第一支撑片的引脚作为交流输入端；所述第二支撑片与第三二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端固定连 接，该第二支撑片的引脚作为交流输入端；所述第三支撑片的一端与所述第一连接片一端定位连接，该第一连接片与第一二 极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，第三支撑片的另一端作为正极输 入端；所述第四支撑片的一端与所述第二连接片一端定位连接，该第二连接片与第二二 极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第四支撑片的另一端作为负极输 入端。上述技术方案中的有关内容解释如下上述方案中，所述第三支撑片与第一连接片定位连接为在第三支撑片和第一连接 片上设置一对相互嵌入的凸台和通孔；所述第四支撑片的一端与所述第二连接片一端定位 连接为在第四支撑片和第二连接片上设置一对相互嵌入的凸台和通孔。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点本技术中采用第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的 正极端固定连接，第二连接片与第一二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，克服了现有技术对平整性要求苛刻的限制，大大降低了晶粒受损或者接触不良的几 率，避免了生产制程中产品内部应力状况不够稳定的缺陷，有利于后续工艺的展开。附图说明附图1为现有桥式整流器结构分解示意图；附图2为现有桥式整流器结构示意图；附图3为本专利技术现有桥式整流器分解结构示意图；附图4为本专利技术现有桥式整流器结构示意图；附图5为附图4桥式整流器A-A剖视图。以上附图中1、第一连接片；2、第二连接片；3、第一支撑片；4、第二支撑片；5、第 三支撑片；6、第四支撑片；7、第一二极管芯片；8、第二二极管芯片；9、第三二极管芯片；10、 第四二极管芯片。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术作进一步描述实施例一种桥式整流器，该桥式整流器的环氧封装体内部由第一连接片1、第二连接片2、第一支撑片3、第 二支撑片4、第三支撑片5、第四支撑片6和四个二极管芯片组成；所述第一支撑片3与第一二极管芯片7的负极端和第二二极管芯片8的正极端固 定连接，该第一支撑片3的引脚作为交流输入端；所述第二支撑片4与第三二极管芯片9的正极端和第四二极管芯片10的负极端 固定连接，该第二支撑片的引脚作为交流输入端；所述第三支撑片5的一端与所述第一连接片1 一端定位连接，该第一连接片1与 第一二极管芯片7的正极端和第四二极管芯片10的正极端固定连接，第三支撑片5的另一 端作为正极输入端；所述第四支撑片6的一端与所述第二连接片2 —端定位连接，该第二连接片2与 第二二极管8芯片的负极端和第三二极管芯片9的负极端固定连接，第四支撑片6的另一 端作为负极输入端。所述第三支撑片与第一连接片定位连接为在第三支撑片和第一连接片上设置一 对相互嵌入的凸台和通孔；所述第四支撑片的一端与所述第二连接片一端定位连接为在第 四支撑片和第二连接片上设置一对相互嵌入的凸台和通孔。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术 的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。 凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之 内。权利要求一种桥式整流器，其特征在于该桥式整流器的环氧封装体内部由第一连接片、第二连接片、第一支撑片、第二支撑片、第三支撑片、第四支撑片和四个二极管芯片组成；所述第一支撑片与第一二极管芯片的负极端和第二二极管芯片的正极端固定连接，该第一支撑片的引脚作为交流输入端；所述第二支撑片与第三二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，该第二支撑片的引脚作为交流输入端；所述第三支撑片的一端与所述第一连接片一端定位连接，该第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，第三支撑片的另一端作为正极输入端；所述第四支撑片的一端与所述第二连接片一端定位连接，该第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第四支撑片的另一端作为负极输入端。2.根据权利要求1所述的桥式整流器，其特征在于所述第三支撑片与第一连接片定 位连接为在第三支撑片和第一连接片上设置一对相互嵌入的凸台和通孔；所述第四支撑片 的一端与所述第二连接片一端定位连接为在第四支撑片和第二连接片上设置一对相互嵌 入的凸台和通孔。专利摘要一种桥式整流器，该桥式整流器的环氧封装体内部由第一连接片、第二连接片、第一支撑片、第二支撑片、第三支撑片、第四支撑片和四个二极管芯片组成；所述第三支撑片的一端与所述第一连接片一端定位连接，该第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，第三支撑片的另一端作为正极输入端；所述第四支撑片的一端与所述第二连接片一端定位连接，该第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第四支撑片的另一端作为负极输入端。本技术克服了现有技术对平整性要求苛刻的限制，大大降低了晶粒受损或者接触不良的几率。文档编号H02M7/06GK201639498SQ20102017839公开日2010年11月17日 申请日期2010年4月22日 优先权日2010年4月22日专利技术者何洪运, 葛永明 申请人:苏州固锝电子股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种桥式整流器，其特征在于：该桥式整流器的环氧封装体内部由第一连接片、第二连接片、第一支撑片、第二支撑片、第三支撑片、第四支撑片和四个二极管芯片组成；　　所述第一支撑片与第一二极管芯片的负极端和第二二极管芯片的正极端固定连接，该第一支撑片的引脚作为交流输入端；　　所述第二支撑片与第三二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的负极端固定连接，该第二支撑片的引脚作为交流输入端；　　所述第三支撑片的一端与所述第一连接片一端定位连接，该第一连接片与第一二极管芯片的正极端和第四二极管芯片的正极端固定连接，第三支撑片的另一端作为正极输入端；　　所述第四支撑片的一端与所述第二连接片一端定位连接，该第二连接片与第二二极管芯片的负极端和第三二极管芯片的负极端固定连接，第四支撑片的另一端作为负极输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：葛永明，何洪运，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]