【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种桥式二极管整流器，其特征在于，包括：第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层中形成有多个深沟槽，在所述深沟槽中填充有隔离介质层，所述深沟槽穿过整个所述第一导电类型外延层的厚度并交替排列隔离出多个由所述第一导电类型外延层组成的第一导电类型柱；桥式二极管整流器的单元结构包括四个所述第一导电类型柱，其中两个所述第一导电类型柱的正面形成有第二导电类型阱，另外两个所述第一导电类型柱的背面形成有第二导电类型阱，各所述第一导电类型柱分别和对应的第二导电类型阱形成纵向PN结构二极管，通过调节所述第一导电类型外延层的掺杂浓度和所述第一导电类型柱的厚度调节各所述纵向PN结构二极管的击穿电压；在所述第一导电类型外延层的正面形成有正面金属图形，所述第一导电类型外延层的背面形成有背面金属图形，通过所述正面金属图形和所述背面金属图形将各所述纵向PN结构二极管连接形成所述桥式二极管整流器的单元结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：颜树范，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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