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本发明公开了一种桥式二极管整流器，由深沟槽穿过外延层并交替排列隔离出的多个第一导电类型柱；单元结构包括四个第一导电类型外延柱，两个柱正面以及另两个柱反面分别形成有第二导电类型阱，各第一导电类型柱和对应的第二导电类型阱形成纵向PN结构二极管；...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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