The invention discloses a capacitor dielectric system with composite titanium dioxide thin film preparation method comprises the following steps: the required substrate preparation of film capacitors, followed by plating a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode; wherein, the dielectric thin film coating includes providing a vacuum chamber, the vacuum substrate the cavity is provided with yttrium oxide and titanium dioxide composite material, having a lower electrode, the composite target will be set in the yttrium oxide flake and TiO2 target surface; oxygen content in the range of 0.1 ~ 20% volume of oxygen and argon gas mixture, the working pressure of 0.2 ~ 2Pa; the use of magnetron sputtering, the formation of Y2O3-TiO2 the composite film layer. The invention improves the dielectric film formation density, to prevent the emergence of porous structure, caused by leakage current, improve the dielectric characteristics of simplified manufacturing process, the dielectric film is conducive to the realization of continuous production of water, improve production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容器的制备方法，尤其涉及一种以二氧化钛薄膜为电介质的电 容器的制备方法。
技术介绍
随着半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小，为保证器件的性能不变或必须 的电容器容量，所需电介质薄膜层的厚度也必须按相应比例降低，由常规技术制备的氧化 物薄膜容易出现多孔形貌和氧空缺等缺陷，引起隧穿漏电流等问题，影响半导体器件或存 储器件DRAM的性能。因此具有平整致密性和高介电常数氧化物薄膜的制备在半导体器件 的升级换代和增大薄膜电容器容量等方面成为重要的工艺环节。近年来，TiO2因为较高的 介电常数(80 100)和较高的电阻率成为倍受关注的材料，但纯二氧化钛薄膜容易形成介 电常数较低(约30左右)的锐钛矿相，且表面具有多孔性结构，平整度不好、漏电流大，阻碍 了它作为高K电介质薄膜材料的应用。研究开发表面平整致密二氧化钛薄膜，其漏电流会减小，对于半导体二氧化钛的 电学性能具有非常重要的意义。李斌使用浸涂、烧结方法制备致密二氧化钛薄膜，利用AFM 分析制备工艺对薄膜表面形貌的影响，当浸涂次数增加到3-4次时，薄膜的表面起伏度最 小(RMS=O. 59-0. ...
【技术保护点】
一种以复合二氧化钛薄膜为电介质的电容器制备方法，其特征在于，包括下列步骤：在所需制备薄膜电容器的衬底上，镀制下部电极；在形成的下部电极上镀制电介质薄膜；在电介质薄膜上镀制电容器的上部电极；其中，所述电介质薄膜的镀制包括，提供一真空腔体，该真空腔体内设有氧化钇与二氧化钛复合靶材、具有下部电极的衬底，所述氧化钇与二氧化钛复合靶材为将片状的氧化钇设置在二氧化钛靶材表面而成；通入氧气体积含量在０．１～２０％范围的氧气和氩气的混合气体，工作气压调控在０．２～２Ｐａ之间；采用磁控溅射方法，在待镀膜衬底上形成Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］－ＴｉＯ↓［２］复合薄膜层。
【技术特征摘要】
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