The invention discloses a dielectric film with Ta2O5 film capacitor preparation method, which is characterized in that includes the following steps: preparing a substrate required for film capacitors, the lower electrode plating; plating thin dielectric film on a lower electrode is formed on the upper electrode; depositing capacitor on the dielectric film among them, the; the dielectric thin film coating comprises providing a vacuum chamber, the vacuum cavity is provided with a substrate of the Ta2O5 target, with lower electrode; oxygen volume fraction at 0.1 ~ 20% range of oxygen and argon mixed gas, gas pressure regulation between 0.2 ~ 2Pa by magnetron sputtering method; Ta2O5, the formation of film layer on the substrate to be coated. The present invention uses direct sputtering Ta2O5 target material at room temperature without heating treatment. The process is simple and easy to operate, and a new generation of DRAM products with high storage density can be developed and realized in a large area.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容器的制备方法，尤其涉及一种薄膜电介质电容器的制备方法。
技术介绍
随着半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小，为保证器件的性能不变或必须的电容器容量，所需电介质薄膜层的厚度也必须按相应比例降低，但由常规技术制备的现行器件中通用的Si-基化合物薄膜容易出现多孔形貌和氧空缺等缺陷，引起隧穿漏电流等问题，影响半导体器件或存储器件DRAM的性能。因此具有平整致密性和高介电常数氧化物薄膜的制备在半导体器件的升级换代和增大薄膜电容器容量等方面成为重要的工艺环节。 近年来，Ta2O5薄膜因为具有许多优异的物理特性，倍受微电子领域的关注。由于它的25 27的高介电常数，可望成为新一代微电子器件的介电材料。Ta2O5薄膜可用多种方法制备， 包括热氧化、化学气相沉积、离子束溅射、dc或RF反应磁控溅射、电子束蒸发、脉冲激光沉积等，其中的磁控溅射和电子束蒸发具有成膜面积大等优点，是较为常用的方法。问题是用这些方法制备的薄膜中容易出现微结构的缺陷，导致漏电流的增大、影响薄膜的介电特性和器件的性能。为减少缺陷，在薄膜沉积以后，再进行高温退火处理，或者在加温的衬底上...
【技术保护点】
１． 一种以Ｔａ２Ｏ５薄膜为电介质膜的电容器制备方法，其特征在于，包括下列步骤：在所需制备薄膜电容器的衬底上，镀制下部电极；在形成的下部电极上镀制电介质薄膜；在电介质薄膜上镀制电容器的上部电极；其中，所述电介质薄膜的镀制包括，提供一真空腔体，该真空腔体内设有Ｔａ２Ｏ５靶材、具有下部电极的衬底；通入氧气体积含量在０．１～２０％范围的氧气和氩气的混合气体，工作气压调控在０．２～２ Ｐａ之间；采用磁控溅射方法，在待镀膜衬底上形成Ｔａ２Ｏ５薄膜层。
【技术特征摘要】
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