MIM电容器之形成方法技术

一种ＭＩＭ电容器的形成方法，其特征在于，其包含下列步骤： 提供一形成有含有金属图样之基层的半导体基板； 将被用为下部电极之一第１金属层沉积在所述基层上； 为了改进所述第１金属层之表面粗糙度并防止其氧化，将一第１中间层沉积在所述第１金属层上； 将高介电常数之电介质层沉积在所述第１中间层上； 为了增加带隙能量，将一第２中间层沉积在所述高介电常数之电介质层上； 将用为上部电极之一第２金属层沉积在所述第２中间层上； 藉由对所述第２金属层、第２氮化物层、电介质层及第１中间层刻画图样，完成上部电极；以及 藉由对所述第１金属层刻画图样，完成下部电极。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种MIM电容器之形成方法，并更特别地是，关于一种改进MIM电容器泄漏电流特性之方法。
技术介绍
一般来说，模拟式电容器已从PIP(Po1y-Insulator-Poly聚合物-绝缘体-聚合物)构造转变为MIM(Metal-Insulator-Metal金属-绝缘体-金属)构造。这是因为一为了在模拟式电路中使用一RF波段之电容器，需要一高品质系数值。为了要达成此目的，电极必须要使用低消耗和低阻抗之金属电极材料。第1图表示一MIM电容器之构造。和现有电容器相似，MIM电容器具有包括一下部电极11、一上部电极13和一介于其间之电介质层12，之构造。在此构造中，TiN被使用于下部电极11，而高介电常数之材料，例如Ta2O5，被使用于电介质层12。更特殊地，下部电极11包括一金属电极，例如一铜层或一铝层，和金属阻隔层，例如一TiN、TaN、Ta或Ti层(以TiN层较佳)，形成在电极金属层之表面上。在第1图中，一半导体基板1以11表示、一基层以10表示、一MIM电容器以14表示、一层间之绝缘层以15表示，而金属配线为16和17。然而，传统之MIM电容器具有数个问题，其极性之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1、一种MIM电容器的形成方法，其特征在于，其包含下列步骤： 提供一形成有含有金属图样之基层的半导体基板； 将被用为下部电极之一第1金属层沉积在所述基层上； 为了改进所述第1金属层之表面粗糙度并防止其氧化，将一第1中间层 沉积在所述第1金属层上； 将高介电常数之电介质层沉积在所述第1中间层上； 为了增加带隙能量，将一第2中间层沉积在所述高介电常数之电介质层 上； 将用为上部电极之一第2金属层沉积在所述第2中间层上； 藉由对所述第2金属层、第2氮化物层、电介质层及第1中间层刻画图 样，完成上部电极；以及 藉由对所述第1金属层刻画图样，完成下部电极。

【技术特征摘要】
2002.06.28 KR 36703/20021.一种MIM电容器的形成方法，其特征在于，其包含下列步骤提供一形成有含有金属图样之基层的半导体基板；将被用为下部电极之一第1金属层沉积在所述基层上；为了改进所述第1金属层之表面粗糙度并防止其氧化，将一第1中间层沉积在所述第1金属层上；将高介电常数之电介质层沉积在所述第1中间层上；为了增加带隙能量，将一第2中间层沉积在所述高介电常数之电介质层上；将用为上部电极之一第2金属层沉积在所述第2中间层上；藉由对所述第2金属层、第2氮化物层、电介质层及第1中间层刻画图样，完成上部电极；以及藉由对所述第1金属层刻画图样，完成下部电极。2.如权利要求1所述之MIM电容器的形成方法，其特征在于，所述第1和第2金属层由包括TiN、TaN、Ti和Ta之群体...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑贰善，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限会社，
类型：发明
国别省市：