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一种ＭＩＭ电容器的形成方法，其特征在于，其包含下列步骤： 提供一形成有含有金属图样之基层的半导体基板； 将被用为下部电极之一第１金属层沉积在所述基层上； 为了改进所述第１金属层之表面粗糙度并防止其氧化，将一第１中间层沉积在...
该专利属于美格纳半导体有限会社所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限会社授权不得商用。

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