The invention relates to a semiconductor light emitting element and a method of manufacturing the same. A semiconductor stacked structure (12) is formed on the N type GaN substrate (10). A ridge (26) is formed on the upper portion of the semiconductor stacked structure (12). The channel portion (28) is adjacent to the ridge (26). The platform portion (30) is adjacent to the opposite side of the ridge (26) of the groove portion (28). The first insulating film (32) covers the channel portion (28). The first insulating film (32) has an opening on the ridge (26) and the platform portion (30). A single-layer adhesive layer (34) is formed on the first insulating film (32). The Pd electrode (36) covers a ridge portion (26) and a portion of the monolayer adhesive layer (34) and is connected to the P type GaN contact layer (24) of the ridge (26). The second insulating film (38) covers a single adhesive layer (34), a portion not covered by the Pd electrode (36), and a platform portion (30).
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及防止Pd电极的剥落并且能够降低粘接层的应力的半导体发光元件以 及能够精度良好地制造这样的半导体发光元件的制造方法。
技术介绍
在具有脊部的半导体发光元件中，对脊部的顶部的接触层施加电压，从而对活性 层供电。为了进行该供电，在接触层上形成有P型电极。从高输出化、低功耗化等要求出发， 作为与接触层接触的P型电极，使用低电阻欧姆电极。此外，从半导体发光元件的成品率以 及可靠性的观点出发，要求电极材料牢固地与基底粘结并且在工序中途也不剥落。在使用GaN等氮化物半导体制造蓝紫色激光器的情况下，当使用Ni作为ρ型电极 的材料时，不能够提高欧姆特性等电特性。因此，作为P型电极，多使用由Pd(或者Pd类材 料)构成的Pd电极。Pd电极相对于GaN等氮化物半导体为低电阻欧姆电极(例如，参照专 利文献1)。由于工艺能力等的原因，以仅与脊部的接触层接触的方式形成Pd电极是困难的， 所以，Pd电极也与绝缘膜接触。但是，由于Pd电极与绝缘膜的粘结性低，所以，产生Pd电 极剥落。对于Pd电极剥落来说，在Pd电极形成后任何时候都可能发生，但是，特别是在烧 结热处理后容易发生。为...
【技术保护点】
１．一种半导体发光元件，其特征在于，具有：半导体衬底；半导体层叠结构，具有在所述半导体衬底上依次层叠的第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层以及接触层；脊部，形成在所述半导体层叠结构的上部；沟道部，与所述脊部相邻；平台部，与所述沟道部的所述脊部的相反侧相邻；第一绝缘膜，覆盖所述沟道部并且在所述脊部以及所述平台部上具有开口；单层粘接层，形成在所述第一绝缘膜上；Ｐｄ电极，覆盖所述脊部以及所述单层粘接层的一部分并且与所述脊部的所述接触层连接；第二绝缘膜，覆盖所述单层粘接层的未被所述Ｐｄ电极覆盖的部分以及所述平台部。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈贵郁，阿部真司，川崎和重，佐久间仁，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。