晶片支撑装置及晶片处理工艺制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶片支撑装置，该装置呈圆环柱体结构，从而不会挡住超薄晶片正面的半导体器件区域，因此可在封装前及时进行性能测试，及时反馈和评估工艺中的问题，降低了工艺风险；同时，本发明专利技术还公开了一种晶片处理工艺，该处理工艺在晶片背面处理工艺过程中利用了上述的晶片支撑装置对超薄晶片进行支撑，并在晶片背面处理工艺后进行性能测试，从而及时反馈和评估工艺中的问题，降低了工艺风险。

Wafer support device and wafer processing process

The invention discloses a wafer support device, the device has a circular cylindrical structure, which does not block the ultrathin wafer positive semiconductor device area, so it can be timely performance test in the package before the timely feedback and evaluation in the process of problem, reduce process risk; at the same time, the invention also discloses a wafer processing process, the process in the process of using the wafer backside processing the wafer support device to support the ultrathin wafer, and the wafer backside processing after the performance testing, and timely feedback and evaluation in the process of problem, reduce process risk.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种晶片支撑装置及晶片处理工艺。
技术介绍
随着集成电路技术的进步，半导体集成电路在集成度、速度和可靠性不断提高的同时正在向轻薄短小的方向发展。并且随着硅通孔(TSV，Through Silicon Via) 3D封装技术的引入，对芯片厚度的要求越来越高，超薄晶片应运而生。所谓超薄晶片是指厚度等于或小于IOOum的晶片。同时，由于超薄晶片具有低电阻、低耗散功率和良好的热传导性能，因此，在功率电子器件方面也成为研究的焦点。超薄晶片通常通过晶片背面减薄工艺实现，所谓晶片背面减薄工艺是指在晶片表面电路制造完成后，对晶片背面硅材料片进行减薄或磨削减薄(backside grinding)，使其达到所需的厚度。然而，由于超薄晶片的强度低，因此其极易弯曲和变形，并且在工艺处理过程中容易破裂。为了解决超薄晶片在工艺处理过程中容易变形和破裂的问题，目前采取的措施为在晶片的正面增加临时支撑载体，具体地，将临时支撑载体通过粘性层粘附到晶片的正面， 以便于晶片背面的减薄，以及后续的超薄晶片处理和背面处理。所述临时支撑载体可以是刚性的虚拟硅晶片、玻璃晶片、聚合物、本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片支撑装置，固定于超薄晶片的正面，用于在晶片背面处理工艺中支撑超薄晶片，其中，所述超薄晶片的正面制备有半导体器件，其特征在于，所述晶片支撑装置为圆环柱体结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玮荪，傅荣颢，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31