【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种激光退火设备中的光学处理装置,特别是涉及该光学处理装置中 调节环节的设计及具体实施方案。
技术介绍
在经济全球化、信息化的今天,IC产业无疑是影响国家经济、政治和国防安全的战 略必争产业。目前,世界IC装备产业已成为IC产业的驱动力和重要组成部分。在过去几十 年中,集成电路制造遵循莫尔定律,经历了飞速的增长。不过集成电路制造的等比例缩小, 也带来了极小尺寸工艺技术方面的极大困难与挑战。在纳米级CMOS器件中,超浅和低电阻率的结对抑制短沟道效应,获得更好的器件 性能起着越来越重要的作用。由于氧化增强扩散与瞬时增强扩散以及固溶度的限制,传统 的快速热退火(RTA)已很难满足32nm及以下各技术节点的要求。为了解决这个问题,目 前正在大量研究一些新的退火技术来替代RTA,如闪速灯光退火(Flash Lamp Annealing 或FLA)、固相激光脉冲退火(Solid-PhaseLaser Spike Anneal ing或LSA)、液相激光脉 冲退火(Liquid-Phase LaserThermal Process 或 LTP),以及低温固相外延 ...
【技术保护点】
用于激光退火的光学处理装置,其特征在于包括:扩束系统,用于对来自一个光源(101)的激光光束进行扩束;匀化系统,用于使所述扩束系统输出的光束能量均匀;边缘处理系统,用于得到所需的边缘锐利的光斑;投影系统,用于将匀化的光斑投射到加工面(108)。
【技术特征摘要】
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