【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种激光光束勻化装置，其对现有的光束勻化装置进行了一定的改 进，适用于激光退火等激光加工领域或其他需要对激光束进行勻化的场合。
技术介绍
在最近几十年中，集成电路制造遵循莫尔定律，经历了飞速的增长，集成电路的发 展带动了整个电子产业的不断进步。电子产业的发展日新月异，已经成为了带动国家经济 增大的一大引擎。不过由于集成电路制造精细度的不断提高，也带来了极小尺寸工艺技术 方面的极大困难与挑战。目前，极大规模集成电路制造已经进入了 32nm及以下的阶段，对于32nm的技术节 点而言，由于短沟道效应的影响，如果要继续得到性能不劣化的基础MOS器件，就要求NMOS 管和PMOS管的源、漏的结深至少小于20nm，也就是提出了制作超浅结的要求。由于氧化增强扩散与瞬时增强扩散以及固溶度的限制，传统的快速热退火(RTA) 已很难满足制作超浅结的要求。为了解决这个问题，人们研究了一些新的退火技术来替代 RTAJn 闪速灯光退火(Flash Lamp Annealing或FLA)、固相激光脉冲退火(Solid-Phase Laser Spike Annealing L...
【技术保护点】
用于光束匀化设备的预匀化环节装置，其特征在于包括：第一偏振分光镜（２０１），用于把入射激光束分成第一部分光和第二部分光，其中第一部分光直接透射通过所述第一偏振分光镜（２０１），第二部分光被所述第一偏振分光镜（２０１）反射偏折；光束能量匀化部分（２０３Ａ、２０３Ｂ、２０４Ａ、２０４Ｂ），用于使所述第二部分光的光束截面中央原先能量密度较高的部分转移到边缘，而原先边缘部分能量密度较低的转移的中央，一个第二偏振分光镜（２０６），用于使经过所述光束能量匀化部分处理的所述第二部分光与所述第一部分光汇合。
【技术特征摘要】
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