浸没式光刻系统以及浸没式光刻中原地清洁透镜的方法技术方案

提供了一种浸没式光刻设备，其包括：能量源；投影光学系统；台；包括浸没液体供应装置和浸没液体排出装置的喷头在曝光区域内产生液体流；和清洁装置，所述清洁装置使用清洁气体清洁投影光学系统与浸没液体接触的部分。在实施例中，清洁装置包括向曝光区域提供清洁气体流的气体供应装置和气体排出装置。在实施例中，该设备包括含有剂量传感器和/或紫外光源的台。还提供了一种用于在具有向浸没式光刻系统的曝光区域提供浸没流体的浸没流体喷头的浸没式光刻系统中原地清洁最后的透镜元件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及浸没式光刻技术，特别地，提供一种用于在浸没式光刻系统中原地清 洁透镜的方法。
技术介绍
光刻是一种用于在衬底的表面上产生特征的工艺。这样的衬底可以包括那些用于 制造平板显示器(如，液晶显示器)、半导体晶片、电路板、各种集成电路、打印头、宏观/超 微流体(macro/nano-fluidic)基材等等的衬底。在光刻过程中，衬底被布置在一个衬底平 台上，通过光刻装置内的曝光光学元件被投影到衬底表面上的图像所曝光。该投影的图像使得沉积在衬底表面上的层(如光抗蚀剂层)的某些特性产生改 变。这些改变对应于在曝光期间被投影到衬底上的特征。曝光之后，该层可以通过蚀刻或其 它处理来产生图案化的层。该图案对应于在曝光过程中被投影到衬底上的特征。该图案层 接着被用于移除或进一步处理衬底内下层的结构化层的经过曝光的部分，如导体、半导体、 或绝缘层。重复这一过程以及其它步骤，直到在衬底的表面上或在多个层中形成所期望的 特征。在浸没式光刻
中，曝光操作由浸没液体来引导，浸没液体位于投影光学 设备的最后一个透镜元件和衬底之间，典型的浸没液体是水。最后的透镜元件的表面定期 地使用溶剂进行手工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浸没式光刻设备，包括：能量源；投影光学系统；移动衬底的台，衬底被安置于所述台上；喷头，所述喷头包括浸没液体供应装置和浸没液体排出装置，所述喷头在投影光学系统和衬底之间形成液体流；和清洁装置，所述清洁装置使用清洁气体清洁投影光学系统的与浸没液体接触的部分，所述清洁装置包括：气体供应装置；和气体排出装置，其中该气体供应装置产生在投影光学系统和台之间的清洁气体流，其中所述气体供应装置和气体排出装置被加装于喷头上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：哈里·休厄尔，路易斯·约翰·马克亚，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL