曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法。曝光装置(EX)通过投影光学系(PL)和液体(1)将图形像投影到基板(P)上，从而对基板(P)进行曝光。曝光装置(EX)具有将液体(1)供给到投影光学系统(PL)与基板(P)间的液体供给机构(10)。液体供给机构(10)在检测到异常时停止液体(1)的供给。可抑制由于形成液浸区域的液体的泄漏使基板周边装置·构件受到的影响，良好地进行曝光处理。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过投影光学系和液体对基板进行曝光的曝光装置、使用该曝光 装置的器件制造方法、及曝光装置的控制方法。
技术介绍
半导体器件或液晶显示器件通过将形成于掩模上的图形转印到感光性基板上的 所谓的光刻方法制造。该光刻工序使用的曝光装置具有支承掩模的掩模台和支承基板的基 板台，一边依次移动掩模台和基板台，一边通过投影光学系将掩模的图形转印到基板。近年 来，为了应对器件图形的更进一步的高集成化，希望获得投影光学系的更高的析像度。使用 的曝光波长越短、投影光学系的数值孔径越大时，投影光学系的析像度越高。为此，曝光装 置使用的曝光波长逐年变短，投影光学系的数值孔径也增大。现在主流的曝光波长为KrF 受激准分子激光的248nm，但更短波长的ArF受激准分子激光的193nm也正得到实用化。另 夕卜，当进行曝光时，与析像度同样，焦深(DOF)也变得重要。析像度R和焦深δ分别用下式 表不。R = Ic1 · λ /NA... (1)δ = 士k2 · λ /NA2... (2)其中，λ为曝光波长，NA为投影光学系的数值孔径，Vk2为过程系数。从(1)式、 (2)式可知，当为了提高析像度R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过液体将曝光用光照射到基板对基板进行曝光的曝光装置，其特征在于具备：投影光学系统，将图形像投影到基板上；液体供给机构，将液体供给到上述投影光学系统与基板之间；和液体回收机构，回收由上述液体供给机构供给的液体，在基于由上述液体供给机构所供给的液体的供给量和由上述液体回收机构所回收的液体的回收量的至少一方检测出异常时停止液体的供给。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：马込伸贵，小林直行，榊原康之，高岩宏明，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP