LED外延片、LED结构及LED结构的形成方法技术

本发明专利技术提出一种发光二极管LED外延片，包括：衬底；形成在所述衬底顶层之上的第一多孔结构层；形成在所述第一多孔结构层之上的第二多孔结构层，其中，所述第二多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径；和形成在所述第二多孔结构层之上的LED结构层，其中，所述LED结构层之中至少包括第一型半导体层、发光层和第二型半导体层。本发明专利技术采用在孔隙率大的多孔硅上外延与Si材料热失配较大LED结构，从而可以通过脆弱的多孔硅层在冷却过程中发生部分形变释放掉热失配应力，保证外延的LED结构的完好，可以外延出大尺寸的LED结构，还可通过第二多孔结构层改善LED结构层的外延晶体质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管(light emitting diode, LED)
，特别涉及一种 LED外延片、LED结构及LED结构的形成方法。
技术介绍
近年来，LED以其寿命长、发光效率高、体积小、坚固耐用、颜色丰富，被广泛应用于 显示屏、背光源、特种照明等领域。LED的核心是LED外延片，其主要结构包括衬底、缓冲 层、N型半导体层、发光层、电子阻挡层、P型半导体层。作为LED外延片核心的发光层介于 N型半导体层与P型半导体层之间，使P型半导体层和N型半导体层的界面构成的PN结。 然而由于A1203(蓝宝石)或SiC衬底非常昂贵，因此目前的LED非常昂贵。因此如何在其他更便宜的衬底之上制造LED器件就成为了亟待解决的问题。由于 Si材料便宜，工艺成熟，且有大直径晶圆，因此，目前出现了很多基于Si材料的应用，如光 电、微波等应用需要用到不同的材料，如GaN等。但是由于Si材料和这些III-V族化合物 半导体材料存在很大的热应力失配，热应力失配将在较大外延厚度时会引起薄膜出现龟裂 (Crack)，外延出来的薄膜质量不佳，因此限制了薄膜的生长厚度和生长质量，导致Si材料 衬底不本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管ＬＥＤ外延片，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底顶层之上的第一多孔结构层；形成在所述第一多孔结构层之上的第二多孔结构层，其中，所述第二多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径；和形成在所述第二多孔结构层之上的ＬＥＤ结构层，其中，所述ＬＥＤ结构层之中至少包括第一型半导体层、发光层和第二型半导体层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王楚雯，赵东晶，
申请(专利权)人：王楚雯，赵东晶，
类型：发明
国别省市：11